英飛凌首款碳化矽功率模組可在205℃運作 針對電動汽車逆變器設計 (2026.06.18)
英飛凌科技在電動汽車逆變器功率模組領域完成一個新的里程碑：HybridPACK Drive 系列正式推出全新 1300 V 碳化矽（SiC）模組，該模組能夠在高達 205℃的溫度下持續運行。市面上現有的同類設計通常最高僅允許在 175℃ 下…
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ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的Si…
利用動態功率控制抑制電流輸出數位類比轉換器的過熱問題 (2026.05.15)
針對拉/灌電流數位類比轉換器（IDAC）在驅動負載時因電壓差導致功耗與過熱問題，本文提出動態功率控制機制，結合單電感多輸出技術的DC-DC架構，精準調整電源電壓，有效降低晶片內部功耗，並且提升系統效率與可靠性。…
SiP技術：克服製造瓶頸 掌握異質整合關鍵 (2026.05.14)
系統級封裝（SiP）技術正快速獲得市占率的成長。…
英飛凌新款12位元數位電流監測IC XDM700-1， 提供高精度感測與報告功能 (2026.03.27)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展其XDP?保護與監測產品組合，推出新產品XDM700-1。XDM700-1是一款適用於高側或低側電流及電壓感測的系統監…
磷化銦與氮化鎵在太赫茲頻段的技術挑戰 (2026.03.13)
無線通訊技術即將從5G邁向6G，頻譜資源的開發已從毫米波（mmWave）進一步延伸至太赫茲（THz）頻段。太赫茲波通常定義為0.1至10THz之間的電磁波，其位於微波與紅外線之間，不僅具備極其寬廣的可用頻寬，還擁有獨特的穿透性與空間解析度。…
意法半導體全新 STM32 系列 重新定義入門級微控制器效能與價值，推動各類智慧裝置升級 (2026.03.09)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新一代入門級微控制器（MCU），進一步提升遍布工廠、家庭、城市與各類基礎建設中的數十億智慧裝置效能，同…
Microchip推出面向邊緣人工智慧應用的新型高密度電源模組MCPF1412 (2025.05.09)
邊緣人工智慧正推動整合度與功耗的持續增長，工業自動化和資料中心應用亟需先進的電源管理解決方案。Microchip Technology Inc.今日發佈MCPF1412高效全整合負載點12A電源模組。該元件配備16V輸入電壓降壓轉換器，並支…
意法半導體推出 STM32MP23 微處理器兼顧效能與成本，並延續對 OpenSTLinux 的支援 (2025.04.21)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）全新宣布全新 STM32MP23 通用型微處理器（MPU）正式進入量產，具備高達 125°C 的高溫操作能力…
Microchip的RTG4 FPGA採用無鉛覆晶凸塊技術達到最高等級太空認證 (2024.10.18)
根據美國國防後勤局（DLA）的規定，合格製造商名單（QML）Class V是太空元件的最高級別認證，並且是滿足載人、深空和國家安全計劃等最關鍵的太空任務保障要求的必要步驟。Microchip Technology 採用無鉛覆晶凸塊技術的耐輻…
英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上。這些需求以及更高…
邁入70週年愛德萬測試Facing the future together! (2024.01.15)
愛德萬測試Advantest Corporation日前發布年度預測時，以「次世代高速ATE卡」、「HA1200晶粒級分類機與M487x ATC 2kW解決方案」、「記憶體測試產品線」等最新自動化測試與量測設備產品，全面符合今年最熱門產業之…
英飛凌全新 CoolMOS S7T系列整合溫度感測器性能 (2024.01.11)
英飛凌科技（Infineon）推出整合溫度感測器的全新 CoolMOS S7T 產品系列，具有出色的導通電阻和高精度嵌入式感測器，能夠提高功率電晶體接面溫度感測的精度，適用於提高固態繼電器（SSR）應用的性能和可靠性。 固態繼電器是各種電子…
英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合 推出全新電流額定值模組 (2023.09.18)
英飛凌科技推出搭載1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半橋和共發射極模組產品組合。模組的最大電流規格高達 800A ，擴展了英飛凌採用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電…
英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05)
英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本。 相…
艾邁斯歐司朗推出新一代OSLON Square超紅光植物照明LED (2023.06.20)
艾邁斯歐司朗今日宣布，推出了其人氣產品OSLON Square超紅光（Hyper Red）植物照明LED的新一代產品，專為提高植物生長速度而設計，並實現最優系統性價比。 艾邁斯歐司朗根據客戶需求，持續研發關鍵創新技術，提供比前代產品超紅光6…
ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模組 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半導體製造商ROHM在開發SiC（碳化矽）功率模組方面，已有十多年的良好合作關係。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率領域推出的功率模組中，採用了ROHM新產品—1200V IGBT「RGA系列」…
Diodes新款單通道高側電源切換器可設定電壓轉換速率 (2023.01.05)
Diodes公司推出新款多功能單通道高側電源切換器。AP22980 可選擇三種不同電壓轉換速率，因此能處理的電容負載更寬廣，同時維持低湧浪電流，確保系統穩定性。適用於可攜式電子設備、電腦硬體和邊緣資料中心部署的固態資料儲存系統。 AP229…
安森美推出三款SiC功率模組 使xEV充電更快且續航里程更遠 (2022.09.29)
安森美（onsemi）今天宣佈推出三款基於碳化矽（SiC）的功率模組，採用轉注成型技術，用於所有類型電動汽車（以下簡稱「xEV」）的車載充電和高壓（以下簡稱「HV」）DCDC轉換。 APM32系列是把SiC技術和轉注成型封裝相結合的行業首創…
瑞薩推出新一代用於電動汽車逆變器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體（Si-IGBT），以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車（EV）逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和…