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搜尋「快閃記憶體晶片」,共 102

本次要介紹的產品,是來自SK海力士(SK Hynix)最新的一項記憶體產品,它就是目前全球最高層樹的「321層NAND快閃記憶體」。

為因應多樣化的消費者族群需求,艾思科(Essencore)旗下新興記憶體品牌科賦(KLEVV)正式發表 CRAS C930、C910 和 C730 三款M.2 NVMe 固態硬碟。 新一代 CRAS系列 M.2 NVMe 固態硬碟陣容,以先

鎧俠株式會社(Kioxia)宣布CM7系列企業級NVMe固態硬碟為企業資料中心提供新一代效能。鎧俠CM7系列產品針對高效能、高效率的伺服器和儲存需求帶來最佳化成效。它採用PCIe 5.0技術設計,提供企業和資料中心標準外形尺寸(EDSFF)

本文介紹各種記憶體技術,並以各家供應商推出的產品為例,幫助開發人員瞭解各種記憶體類型的特性。此外,本文還探討了各種類型記憶體的最佳應用,以便開發人員有效使用。

受到SSD價格逼近傳統硬碟,特別是在資料中心領域,大量的SSD取代傳統硬碟效應正在快速發酵,導致傳統硬碟前景蒙塵,相關供應鏈處境堪憂。

淺談eSPI匯流排 (2018.11.27)

大多數電腦使用者都知道他們的電腦中的高速匯流排,如PCI-E和USB。 但是,在所有電腦中也有一個低速匯流排,用於連接各種設備,如嵌入式控制器 (EC)、底板管理控制器(BMC)、超級 I/O、系統快閃記憶體存儲(用於存儲 BIOS 代碼)

日本東芝昨(28)日對外宣布,已與由美國私募基金貝恩資本(Bain Capital)領頭的美日韓聯盟簽署旗下半導體事業「東芝記憶體」的出售協議,交易金額達2兆日圓(約5334億台幣)。此收購案波折不斷,先前才傳出東芝與貝恩雖簽署了出售備忘錄

固態硬碟技術簡介 固態硬碟(Solid State Drives,簡稱SSD)是一種能永久儲存資料的裝置,採用固態半導體的記憶體,如快閃記憶體(NAND Flash),有別於傳統硬碟機(HDD)所使用的磁性材料。由於可隨機存取資料且無須像硬

業界領先的嵌入式市場快閃記憶體解決方案創新廠商Spansion 公司為解決旺宏電子 (Macronix) 公司從過去到現在一直在NOR快閃記憶體和XtraROM記憶體系列產品上持續且擴大的違反 Spansion 專利的情況,今天宣佈已在美國

傳統使用主軸馬達、讀寫臂等機械式零件構成的硬碟叫HDD(Hard Disk Drive),而以快閃記憶體晶片所構成,沒有用上任何可動性零件(no moving part)的硬碟叫SSD(Solid State Drive),而同時使用上兩種

新創公司Lyric以或然率(probability)和可能性(likelihoods)作為設計新一代晶片架構的思維,挑戰傳統0和1為基礎的二進位運算和必然性(certainty)邏輯,有可能徹底改變既有晶片運算世界應用的全貌!

科統科技(memocom)於週二(6)日宣佈,推出兩款適用於平板電腦與工業電腦的固態硬碟模組,分別為D37標準SATA介面與D38 PCI Express介面模組系列。著眼於行動筆電與嵌入式產品設計皆已走向輕薄、節能、低耗電的方向,科統該新

成本一向是快閃記憶體發展的重要驅動力,也因此驅動快閃記憶體製程密度的快速提昇。然而,高密度快閃記憶體除了導致資料存取的效能下降外,資料錯誤率也大幅上升。本文介紹一個「提交式管理機制」來解決高密度快閃記憶體效能與可靠性的問題,同時也改善系統初始化及當機回復的效能。

外電消息報導,三星電子日前宣佈,將開始量產兩款30奈米製程的NAND快閃記憶體晶片。其中一款將採類似DDR記憶體的雙通道傳輸技術,其讀取頻寬將是傳統快閃記憶體晶片的3倍左右,最高可達133Mbps。 據報導,這款新的雙通道晶片若應用到快閃記

外電消息報導,三星電子於週四(9/3)宣佈,將不再尋求收購記憶體供應商SanDisk。而兩家公司在今年5月時,已簽署了一份專利授權協定,終止了雙方在快閃記憶體市場上的法律訴訟糾紛。 在2008年時,三星電子曾欲以58.5億美元的價格收購Sa

外電消息報導,英特爾和美光科技於週二(8/11)宣佈,已開發出使用34奈米製程的NAND MLC快閃記憶體晶片。該晶片的儲存容量為每個儲存單元3 bit(3-bit-per-cell),高於目前標準的2 bit技術,進而提高晶片的儲存容量。

外電消息報導,美國矽谷一家新創非揮發性記憶體儲存技術公司於週二(5/19)宣佈,該公司開發出一種新的儲存用記憶體(Storage-class memories;SCM)技術,容量可達目前NAND Flash的4倍,並有望取代當前的快閃記憶體