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搜尋「快閃記憶卡」，共 151 筆

Western Digital推出全新高效能解決方案 UHS-I快閃記憶卡 (2018.03.02)

Western Digital推出全新行動解決方案，讓消費者能夠盡情擷取、分享及欣賞裝置中的豐富內容。在世界行動通訊大會 (Mobile World Congress; MWC) 上，Western Digital發佈UHS-I快閃記憶卡 …

安心碟 (2017.09.28)

本作品為創新整合設計出一款新型的加密隨身碟，同時搭配現今流行的智慧型手機，達到加密認證之動作…

全新製程容量大躍進達明電子新品PC100 NVMe SSD亮相FMS峰會 (2017.08.09)

一年一度的全球電子盛會Flash memory summit 於美國Santa Clara Convention Center舉行，企業用固態硬碟廠商達明電子與Microsemi於AB館攤位213展出，廣明光電旗下達明電子TECHMAN S…

攻日本IoT商機 TCA率廠商前進嵌入式暨物聯網展 (2016.11.14)

由日本嵌入式系統技術協會(JASA)主辦，亞洲規模最大嵌入式產業年度盛會「2016日本嵌入式暨物聯網展」，將在11月16日至18日於日本橫濱盛大展出。為協助台灣廠商前進物聯網應用最普及的日本市場，台北市電腦公會(TCA)帶領包括宏碁、博來、…

Littelfuse推出新款低電容瞬態抑制二極體陣列 (2016.08.10)

Littelfuse（利特）公司日前推出了低電容瞬態抑制二極體陣列，該產品專為保護可能經歷破壞性靜電放電（ESD）的電子設備進行了優化。 SP814x系列瞬態抑制二極體陣列（SPA二極體）整合了四或六個超低電容軌到軌二極體通道以及額外的齊納…

LSI 推全新Nytro系列PCIe快閃記憶體加速卡 (2013.12.03)

LSI公司宣佈為其Nytro系列的PCIe快閃記憶卡產品陣容增加Nytro XP6200系列。全新的Nytro XP6200系列可為超大型雲端資料中心的各種密集型讀取應用提供加速效能、最佳化功耗和散熱功能，也能夠為每GB的PCIe快閃記憶解…

SMART Modular Technologies拓展亞洲業務 (2013.07.12)

專注於設計、製造和供應記憶體模組、快閃記憶體卡和其他固態存儲產品等增值子系統的領先企業SMART Modular Technologies公司今日宣佈，公司在臺灣設立了一個新研發中心，進一步拓展了公司在亞洲的業務。 SMART Modula…

FTDI利用高速USB轉數位電平資料線擴展其USB方案 (2011.10.24)

英商飛特蒂亞公司（FTDI）新增2款資料線產品，提供USB轉數位電平序列介面。這兩款新產品，補充了其C232HD USB 2.0高速轉數位電平UART資料線系列。每個資料線集成了一個FT232H高速USB介面晶片，安裝於一個緊湊的電路板，…

美光與Intel率先推出25 nm 3bpc NAND快閃記憶體 (2010.08.22)

美光科技 (Micron) 於日前宣佈，已與英特爾 (Intel) 合力推出採用 25 nm 製程技術3-bit-per-cell (3bpc) NAND 快閃記憶體，該 NAND 裝置擁有超大容量與最小尺寸。美光與英特爾已送樣給部分客戶…

快捷推出同步降壓轉換器產品FAN5362 (2010.07.12)

快捷（Fairchild Semiconductor）於日前宣布，推出新款採用專有的同步整流架構的3MHz 500mA同步降壓轉換器產品FAN5362，是需要支援高容量（如8、16、32GB等）SD快閃記憶體卡的手機設計人員的理想選擇。 S…

三星量產新30nm記憶體晶片讀寫達133Mbps (2009.12.02)

外電消息報導，三星電子日前宣佈，將開始量產兩款30奈米製程的NAND快閃記憶體晶片。其中一款將採類似DDR記憶體的雙通道傳輸技術，其讀取頻寬將是傳統快閃記憶體晶片的3倍左右，最高可達133Mbps。據報導，這款新的雙通道晶片若應用到快閃記…

SiP主外 3D IC主內，兩者是互補技術 (2009.04.29)

3D IC作為新興的半導體製程技術之一，已吸引許多關注的目光，但同時也引來許多的爭議。尤其是與SiP技術間的差異。對此，專精於晶片封裝的半導體技術供應商Tessera提出了獨到的看法。 SiP技術已普遍用在手機上 Tessera互連、元件與…

重新詮釋記憶體測試定義 (2009.04.03)

固態硬碟的應用，也會帶動快閃記憶體技術和測試的創新發展，包括更精密複雜的冗餘分析和錯誤修正碼計算方法、通訊協定或壞軌處理機制，以及克服快閃記憶體弱點的功能。測試用於固態硬碟的快閃記憶體時，需要以更高的頻率來偵測與速度有關的錯誤問題，也必須驗證編碼寫入和抹除的耐久性及資料保存等能力，需要Tester-per-Site架構，才能提高並測能力，將測試時間縮到最短。在晶圓級的測試中，必須驗證反覆寫入和抹除的耐久性及資料保存能力、執行冗餘分析、以及計算錯誤修正碼。若所需進行的測試時間較長，或需反覆進行編碼寫入和抹除的耐久性測試。…

革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)

市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能，短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守，長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力（Scalability）、儲存覆寫次數耐久性（Endurance）和資料保存能力（Data Retention）的侷限，使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵。PCM、Racetrack、RRAM和MRAM等下一步非揮發性記憶體在技術上已有明顯進展，改善SSD儲存效能的解決方案也不斷推陳出新，Flash Memory大廠與研究單位正採取集中合作研發的投資模式，期盼進一步再造非揮發性記憶體技術應用高峰！…