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搜尋「寄生電感」,共 77

生成式AI與高效能運算快速發展,正將資料中心的競爭焦點,從單純追求運算效能,推向更根本的電力問題。當單一機架需要承載更高功率,系統業者面臨的不只是供電量增加,還包括轉換損耗、散熱、空間、可靠度與建置成本同步上升。AI資料中心的下一場競賽,將

向太赫茲波段挺進將會是一場關於微縮化、材料科學與系統整合的全面戰爭。

當系統需要的電壓高於可用電壓時,升壓轉換器是滿足此一需求的理想選擇。然而經典的標準升壓拓撲結構並非唯一方案,或許移相多相升壓轉換器是一種更優的解決方案。此類轉換器在高負載工況下效率更高,同時能降低輸入及輸出電容值。

對於台灣機械設備與材料產業而言,這既是被動應對全球變動的必要策略,也是主動從「設備/材料出口」轉型為「高階封裝整合生態系統供應商」的千載機會。

目前台灣PCB產業除了積極轉型智慧製造節能以減碳之外,還須善用2024年上半年仍受惠於AI需求帶動出口好轉的契機,驅動AI伺服器供應鏈加工技術與材料革新開源,成為確保PCB產值能穩定成長的關鍵。

電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件,對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用,本文重點探討逆變電路ASPM模組方案。

電氣化正在推動SiC半導體的增長,由於其具備快速開關能力、更低的電源損耗和更高的溫度效能,智慧移動、永續發展和工業等大型市場都趨向採用SiC電源解決方案。 為協助電源設計工程師更輕鬆、快速和安心地過渡到SiC電源解決方案,Microchip

意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出多種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體元件。相較於傳統穿孔型封裝,意法半導體先進之ACEPACK SMIT封裝能夠簡化組裝製程,提升模組的功率密度。 共有五款

大聯大控股宣佈,其旗下友尚推出基於安森美(onsemi)新一代NCP1618、NCP13994和NCP4318晶片的360W高效電源方案。 近幾年電腦市場開啟了CPU「核戰」時代,各大廠商與消費者對於多核性能的狂熱追求,使電腦的CPU正在向

碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)不同,本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時,設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。

大聯大控股宣佈,其旗下友尚推出基於意法半導體(ST)MasterGaN1+L6599A晶片的250W LLC諧振直流變換器開發板方案。 隨著半導體和電力電子技術的持續演進,使得人們對於電源產品在尺寸,效率,可靠性,壽命及舒適性方面的要求越來

氮化鎵或氮化鋁鎵(AlGaN)的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場,結合HEMT的電晶體結構,就能打造新一代的元件與晶片。

工業、汽車與個人運算應用的電子系統愈發密集且互相連接。為了改善這類系統的尺寸和功能,在封裝各種不同電路時,通常會採取近封裝距離,降低電磁干擾(EMI)的影響,因此逐漸成為系統設計的重要考量。 德州儀器Yogesh Ramadass指出:「電

半導體製造商ROHM針對工控裝置和通訊裝置等電源電路,將150V GaN HEMT(GaN元件)的閘極耐壓(閘極-源極額定電壓)提升至8V。 近年來,在伺服器系統等設備中,由於IoT裝置的需求日益增長,功率轉換效率的提升和裝置小型化已成為開

在嚴苛的汽車和工業環境中,通常會選擇內建MOSFET功率切換開關的單晶片式降壓穩壓器,不僅可節省空間,同時更可實現低EMI和卓越的散熱性能。