ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)

比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-N…

imec最新成果：合金薄膜電阻首度超越銅和釕 (2023.05.23)

於本周舉行的2023年IEEE國際內連技術會議（IITC）上，比利時微電子研究中心（imec）展示其實驗成果，首次證實導體薄膜的電阻在12吋矽晶圓上可超越目前業界使用的金屬導線材料銅（Cu）和釕（Ru）。例如，厚度為7.7奈米的鎳鋁二元合金…

推動製氫量產 imec展示新型奈米網狀電極 (2023.01.12)

比利時微電子研究中心（imec）與其合作夥伴比利時天主教魯汶大學（KU Leuven），宣布一項重大研究結果：奈米網格結構可望用於能源相關應用的量產製程，例如電解槽、燃料電池與蓄電池。該研究團隊開發了一種由互連奈米導線組成的3D結構，可作為…

imec推出雙層半鑲嵌整合方案 4軌VHV繞線設計加速邏輯元件微縮 (2022.12.09)

本周IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了最新的半鑲嵌整合方案，透過導入VHV繞線技術（vertical-horizontal-vertical）來實現4軌（4T）標準單元設計，加速元件微縮。該半鑲嵌製程…

非銅金屬半鑲嵌製程 實現窄間距雙層結構互連 (2022.08.05)

imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組，強調窄間距自對準通孔的重要性，同時分析並公開該模組的關鍵性能參數，包含通孔與導線的電阻與可靠度。…

延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構 (2021.08.05)

由石墨烯和金屬構成的異質結構有望成為1奈米以下後段製程技術的發展關鍵，本文介紹其中兩種異質整合方法，分別是具備石墨烯覆蓋層的金屬導線，以及摻雜石墨烯和金屬交替層的堆疊元件。…

邏輯元件製程技術藍圖概覽（上） (2020.11.10)

愛美科CMOS元件技術研究計畫主持人Naoto Horguchi、奈米導線研究計畫主持人Zsolt Tokei彙整各自的領域專長，將於本文一同呈現先進製程技術的發展藍圖。…

<font color="#ff6600">IBM發表新奈米印刷技術 可用於生物與光學領域</font> (2007.10.01)

外電消息報導，IBM Zurich實驗室日前於《Nature Nanotechnology》科學期刊上，發表了一種新的奈米印刷技術，具有高於現有印刷技術三個等級的解析度，並能應用於生物醫療、電子和光學技術領域上。 據報導，IBM Zuric…

錙銖必較－奈米設計建構上的需求 (2003.04.05)

奈米等級的IC設計不但所需技術愈趨複雜化，設計的過程中可能遇到的問題也隨著製程的微小化而增加；本文將分析進行奈米級IC設計時，工程師應掌握的關鍵議題與必須面臨的挑戰，並指出目前的技術可克服的瓶頸與未來趨勢的發展。…