Aledia左擁微型顯示 右抱AI光傳 (2026.07.09)
Micro LED持續緩步前進，在智慧錶、透明顯示和車用顯示領域漸漸打開市場。而在AI當道的世界，Micro LED似乎又找到了另一個可以大顯身手的地方，也就是AI高速傳輸的領域，有機會進入矽光子光傳的供應鏈，成為在CPO架構中的一員，取代…
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磷化銦與氮化鎵在太赫茲頻段的技術挑戰 (2026.03.13)
無線通訊技術即將從5G邁向6G，頻譜資源的開發已從毫米波（mmWave）進一步延伸至太赫茲（THz）頻段。太赫茲波通常定義為0.1至10THz之間的電磁波，其位於微波與紅外線之間，不僅具備極其寬廣的可用頻寬，還擁有獨特的穿透性與空間解析度。…
富采攜手ALLOS量產8吋矽基氮化鎵 加速Micro LED商用化 (2026.01.19)
富采與德國ALLOS Semiconductors今日宣布締結策略合作，雙方將攜手推動8吋矽基氮化鎵LED(GaN-on-Si LED)磊晶片量產，旨在加速Micro LED於AR等高整合顯示器應用的發展。富采憑藉全球領先的LED磊晶製造技…
AI伺服器功率暴增 800V直流電源成資料中心新基準 (2025.11.06)
隨著生成式AI與大型語言模型的爆發式成長，資料中心的功率需求正呈現倍數成長。過去以54V為主的伺服器電源架構，已無法支撐AI伺服器所需的高電流與高效率運作。為因應這股浪潮，業界正快速轉向「800V直流（VDC）」架構，這不僅是一次電壓等級的…
意法半導體公布公司層級轉型計畫 調整製造據點並優化全球成本 (2025.04.14)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）今日進一步公布其全球製造據點調整計畫的內容。這項行動是 2024 年 10 月所宣布轉型計畫的一部分，旨在進一步提升公司的競爭力、鞏固其…
2025國際固態電路研討會展科研實力 台灣20篇論文入選再創新高 (2024.11.26)
一年一度的國際固態電路研討會（ISSCC）將於2025年2月在美國舊金山舉行，被譽為晶片設計領域的奧林匹克大會，每年都展現出產學界創新的科研實力，台灣此次入選2025 ISSCC共計20篇論文，再創新高，其中學界入選的有清華大學四篇、台灣大…
英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度。在採用英飛…
Transphorm全新參考設計應用於兩輪和三輪電動車電池充電器 (2023.12.21)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm推出兩款針對電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件，以成本實現高效的AC-…
鎖定5G先進基地台及行動裝置應用 imec展示高效能矽基氮化鎵 (2023.12.14)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了在8吋矽晶圓上製造的氮化鋁（AlN）／氮化鎵（GaN）金屬—絕緣體—半導體（MIS）高電子遷移率電晶體（HEMT），該元件能在28GHz的操作頻…
EPC新推EPC9186馬達控制逆變器 實現更長續航里程 (2023.05.11)
宜普電源轉換公司（EPC）新推EPC9186，這是一款採用EPC2302 eGaN FET的三相BLDC馬達控制逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農業機械、叉車和…
英飛凌以8.3億美元收購GaN Systems 強化電源系統領導地位 (2023.03.03)
英飛凌與GaN Systems宣布．兩家公司已簽署最終協議，英飛凌將以8.3億美元的價格收購GaN Systems。GaN Systems是開發基於氮化鎵的電源轉換解決方案的全球技術領導者，總部位於加拿大渥太華，擁有200多名員工。 英飛凌…
大聯大詮鼎推出高效超薄型200W LED驅動電源方案 (2022.09.15)
大聯大控股宣佈，其旗下詮鼎推出基於英諾賽科（Innoscience）INN650D01場效應晶體管的高效超薄型200W LED驅動電源方案。 隨著人們對燈具品質的要求越來越高，傳統的LED驅動器已經無法滿足小而薄的燈具設計。並且由於LED需…
TI：氮化鎵電源管理設計將被加速採用 (2022.09.15)
隨著全球技術不斷升級，電源設計人員對功率密度和系統級效率的關注也隨之提高，從而帶動更高效的寬能隙功率半導體應用由以往的資料中心擴展至測試和測量、儲能系統 (ESS) 及消費性電子等應用領域。系統和電源設計人員需要採用新的設計方法，以實現小體…
法國「電子2030」開幕儀式於意法半導體Crolles工廠舉行 (2022.07.19)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）宣布，日前法國「電子2030」計畫（Electronique 2030）開幕儀式在法國格勒諾布爾（Grenoble）附近之結合研發、製造為一體的意法半導體Crolles工廠舉行。出席本…
EPC推出高功率密度100V抗輻射電晶體 滿足嚴格航太應用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其總劑量等級大於1 Mrad，線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC701…
ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。 射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的…
Ampleon發佈增強效能的第3代GaN-on-SiC電晶體 (2022.02.23)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率電晶體（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度元件是最近通…
EPC推出基於氮化鎵元件的12 V/48 V、500 W升壓轉換器演示板 (2022.01.06)
宜普電源轉換公司（EPC）推出12 V輸入、48 V輸出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166），展示瑞薩電子(Renesas)的ISL81807 80 V兩相同步GaN升壓控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET，…
Microchip擴大氮化鎵（GaN）射頻功率元件產品組合 (2021.12.02)
Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵（GaN）射頻（RF）功率元件產品組合，推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路（MMIC）和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率（PAE）和高線性度，為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和…
貳陸公司（II-VI）以購併、協議串接垂直供應鏈 (2021.11.22)
美國雷射光學元件設計製造商貳陸公司（II-VI）是全球第一家試製並發表8吋SiC基板的公司，甚至還自行開發SiC長晶等設備。台灣在化合物半導體的應用仍在萌芽階段，初期若也能同步發展設備與製程，將可帶動效益倍增。…