半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)

五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。…

imec最新成果：合金薄膜電阻首度超越銅和釕 (2023.05.23)

於本周舉行的2023年IEEE國際內連技術會議（IITC）上，比利時微電子研究中心（imec）展示其實驗成果，首次證實導體薄膜的電阻在12吋矽晶圓上可超越目前業界使用的金屬導線材料銅（Cu）和釕（Ru）。例如，厚度為7.7奈米的鎳鋁二元合金…

探索埃米世代導線材料 金屬化合物會擊敗銅嗎？ (2023.01.19)

大約5年前，imec研究團隊開始探索二元與三元化合物作為未來金屬導線材料的可能性，藉此取代金屬銅。他們設計一套獨特方法，為評估各種潛在的替代材料提供指引。…

imec推出雙層半鑲嵌整合方案 4軌VHV繞線設計加速邏輯元件微縮 (2022.12.09)

本周IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了最新的半鑲嵌整合方案，透過導入VHV繞線技術（vertical-horizontal-vertical）來實現4軌（4T）標準單元設計，加速元件微縮。該半鑲嵌製程…

非銅金屬半鑲嵌製程 實現窄間距雙層結構互連 (2022.08.05)

imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組，強調窄間距自對準通孔的重要性，同時分析並公開該模組的關鍵性能參數，包含通孔與導線的電阻與可靠度。…

延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構 (2021.08.05)

由石墨烯和金屬構成的異質結構有望成為1奈米以下後段製程技術的發展關鍵，本文介紹其中兩種異質整合方法，分別是具備石墨烯覆蓋層的金屬導線，以及摻雜石墨烯和金屬交替層的堆疊元件。…

邁向1nm世代的前、中、後段製程技術進展 (2020.12.08)

為了實現1nm技術節點與延續摩爾定律，本文介紹前、中、後段製程的新興技術與材料開發，並提供更多在未來發展上的創新可能。…

邏輯元件製程技術藍圖概覽（上） (2020.11.10)

愛美科CMOS元件技術研究計畫主持人Naoto Horguchi、奈米導線研究計畫主持人Zsolt Tokei彙整各自的領域專長，將於本文一同呈現先進製程技術的發展藍圖。…