搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告
類別:
關鍵字:

搜尋「化學機械」,共 110

全球半導體技術正由傳統的二維平面微縮,全面加速跨入高密度立體堆疊時代。隨著晶片互連結構更為精細、多晶粒整合面積與厚度增加,製程中的應力翹曲、介面平坦化與良率控制已成為關鍵瓶頸,使先進封裝材料從單純的輔助耗材,轉型為決定 AI 系統整體效能與

良率決定晶圓製造成本與競爭力,而提升良率已從製程控制延伸至實體設計最佳化。透過智慧化Dummy Fill與EDA演算法協同優化,不僅能兼顧CMP製程需求,更可降低寄生效應、提升晶片效能,為先進製程建立更高的製造優勢。

為滿足DRAM與先進封裝技術創新需求,應用材料公司近期推出一系列晶片製造新系統,以支援製造新一代AI晶片所需的3D架構。包含專為DRAM晶圓廠打造的磊晶(Epitaxy)系統、化學機械平坦化(CMP)與沉積系統、電子束系統(eBeam),挑

於本周舉行的2026年IEEE電子元件與技術會議(ECTC)上,比利時微電子研究中心(imec)攜手EV集團(EVG)共同發表一項發展穩健且產量高的晶圓級異質接合技術,成功在一款具備可佈線內連導線的測試元件上展示200奈米的銅內連墊片間距。

迎接埃米時代對晶圓潔淨與先進製程穩定性的高度要求,資騰科技在今年3月25~27日舉行的SEMICON China展示各項先進製程解決方案。其中CMP(Chemical Mechanical Polishing,化學機械研磨)超潔淨空氣PVA

虛擬量測技術是半導體產業從經驗驅動轉向數據驅動的里程碑。它不僅解決了實體量測的瓶頸,更為晶圓廠提供了製程透明度。

長期以來,晶圓在多層堆疊過程中,表面會產生細微的起伏,這會導致光學曝光時出現失焦,進而造成電路缺陷。傳統上,業界依賴化學機械研磨(CMP)來磨平晶圓,但隨著製程邁向 2 奈米甚至更深層,CMP 的精度已逐漸遇到瓶頸。除了追求更精細的線寬,如

隨著半導體製程技術不斷朝向更細、更複雜的節點演進,對高性能晶圓拋光材料的需求正快速攀升。根據最新市場報告顯示,化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)Slurry 市場規模預計至 2035 年將達

3D晶片整合的關鍵技術「矽穿孔」(TSV) 有了新的突破,《Microsystems & Nanoengineering》期刊日前發布一項研究,揭示一種新型「雙面PI-Ni」TSV製程。此技術透過創新的雙面加工流程,巧妙地將「化學機械研磨」

選錯量測分析手法,可能讓你產品良率下滑、製程誤判、重工延宕,甚至導致整批報廢。隨著AI晶片、CoWoS、HPC等先進製程快速推進,每個關鍵工序都依賴高精度的表面形貌量測。

五年多前,比利時微電子研究中心(imec)提出了半鑲嵌(semi-damascene)這個全新的模組方法,以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。

受惠於當今人工智慧(AI)驅動全球半導體產業顯著增長,從材料到技術的突破,更仰賴群策群力,半導體技術也需要整合更多不同資源,涵括先進與成熟、前後段製程設備,才能真正強化供應鏈韌性與創新實力。

台灣廠商還具備過去多年來於矽基半導體產業累積的基礎,且有如工研院等法人單位輔導,正積極投入建立材料開發、雷射輔助加工製程等測試驗證平台和服務,將加速產業聚落成型。

面對當前國際半導體市場競爭加劇,應用材料公司也趁勢推出新式材料、技術和系統,將協助晶片製造商運用混合鍵合(hybrid bonding)及矽穿孔(TSV)技術,將小晶片整合至先進2.5D和3D封裝中,既提高其效能和可靠性,也擴大了應材在異質

因應通訊元件、設備和系統製造商的需求,筑波科技推出一種用於化合物半導體的非破壞性晶圓品質測量方案TZ6000。此方案結合TeraView的TeraPulse Lx技術,針對厚度、折射率、電阻率、介電常數、選定位置的表面/次表面缺陷和整個晶圓

近年來因應中美科技戰與後疫情時代,各國分別對於先進或成熟製程的晶片戰略性需求水漲船高,也帶動新一波刺激投資商機,台廠對於所需自動化搬運設備和晶圓機器人整合需求,則應隨之轉型升級。

imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組,強調窄間距自對準通孔的重要性,同時分析並公開該模組的關鍵性能參數,包含通孔與導線的電阻與可靠度。

盛美半導體設備(上海)股份有限公司,今日推出新型化學機械研磨後(Post-CMP)清洗設備。這是盛美上海的第一款Post-CMP清洗設備,用於製造高品質襯底化學機械研磨(CMP)制程之後的清洗。該清洗設備6英寸和8英寸的配置適用於碳化矽(S