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搜尋「低電壓」,共 1329

本周2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)發表了有關鐵電記憶體研究的兩大進展,鎖定鐵電電容器與鐵電場效電晶體(FET)這兩者作為實現低電壓運作和高密度記憶體整合的潛力方案

法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上,發表在22奈米製程節點上,利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸,使其能與揮發性記憶體競爭。 研究團隊透過垂直整合

交通系統向城市操作系統(City OS)的轉型,實質上是人類社會走向「智慧社會」的縮影,許多廠商的努力,讓一個安全、高效、且具備高度韌性的移動生態已然具備雛形。

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)開發出結合PMIC*1「BD968xx-C系列」和DrMOS*2「BD96340MFF-C」的全新電源解決方案,適用於ADAS(先進駕駛輔助系統)、DMS(駕駛監控系統)和感測相機等車載應用SoC*

本文介紹一種採用ADI產品設計的智慧行動電源充電器,其彈性設定能夠接受多種輸入電源,並在智慧管理電池充電的同時為負載供電。

由華大學彭朋瑞副教授帶領的研究團隊,今日在國科會(NSTC)發表應用於 800G共同封裝光元件(CPO)的「8x112Gb/s四階脈衝調變(PAM-4)電氣小晶片與矽光子晶片整合技術」,有效解決了AI資料中心傳輸效率與散熱的兩大痛點 。 此

人工智慧與高效能運算推升資料中心功率密度,傳統配電架構面臨效率與擴充瓶頸。800V HVDC透過高壓低流設計,結合高功率密度電源模組,成為高效能電力系統關鍵技術。

三星電子正式量產商用HBM4產品,並完成業界首次出貨。三星憑藉其第六代10奈米級DRAM製程(1c),實現穩定良率,無需額外重新設計即順利完成。 三星HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度,相較業界標準8Gbps提升約46%。相較於前

隨著電動汽車設計朝向高壓化的發展,保護車內各項設備的需求也日益增加。因此,採用更快速、更可靠的方法來提供保護顯得尤為重要。常見的保護元件包括保險絲、繼電器和接觸器,而E-FUSE電子式保護裝置也是一個很好的配件。 相信大家都已經知道,在電動

當系統需要的電壓高於可用電壓時,升壓轉換器是滿足此一需求的理想選擇。然而經典的標準升壓拓撲結構並非唯一方案,或許移相多相升壓轉換器是一種更優的解決方案。此類轉換器在高負載工況下效率更高,同時能降低輸入及輸出電容值。

賓州大學(University of Pennsylvania)與密西根大學(University of Michigan)的研究團隊近期宣佈,成功研發出全球首款體積小於一公釐、具備完全程式化且能自主運行的微型機器人。這些機器人尺寸約為$2

隨著任務對具備先進運算能力的小型衛星需求日益提升,且要求機載處理器系統在五至十年的任務期間內保持高度可靠與穩健,其對最新超深次微米(ultra deep submicron)FPGAs 與 ASICs 及其電源供應網路的極限正逐步逼近。這些