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搜尋「介電常數」,共 90

向太赫茲波段挺進將會是一場關於微縮化、材料科學與系統整合的全面戰爭。

無線通訊技術即將從5G邁向6G,頻譜資源的開發已從毫米波(mmWave)進一步延伸至太赫茲(THz)頻段。太赫茲波通常定義為0.1至10THz之間的電磁波,其位於微波與紅外線之間,不僅具備極其寬廣的可用頻寬,還擁有獨特的穿透性與空間解析度。

對於台灣機械設備與材料產業而言,這既是被動應對全球變動的必要策略,也是主動從「設備/材料出口」轉型為「高階封裝整合生態系統供應商」的千載機會。

3D晶片整合的關鍵技術「矽穿孔」(TSV) 有了新的突破,《Microsystems & Nanoengineering》期刊日前發布一項研究,揭示一種新型「雙面PI-Ni」TSV製程。此技術透過創新的雙面加工流程,巧妙地將「化學機械研磨」

自生成式AI問世以來,使得雲端/邊緣裝置運算及傳輸的資料量愈趨龐大,台灣PCB產業則從「廣度」向「深度」的結構性轉變,承載了上下游產業鏈每一項轉型趨勢。

過去,PCB的角色主要在於承載與連接電子元件,但在AI時代,PCB不僅要能傳輸超高速訊號,還必須處理高功率密度、散熱挑戰與多層堆疊設計的壓力。這使得PCB產業迎來一場全面性的技術革命與材料演進。

3D NAND快閃記憶體的產品目前配有超過300層堆疊氧化層和字元線層,以滿足位元儲存能力方面的需求。imec正在開發兩項可在不犧牲記憶體運作和可靠度的情況下實現垂直間距微縮的關鍵技術:氣隙整合與電荷捕捉層分離。

迎接現今生成式AI驅動半導體產業變局,台灣該如何在護國神山的基礎上,強化次世代功率半導體和面板級先進封裝的供應鏈韌性與生態系尤為關鍵。

美光科技近日開始出貨採用1γ(1-gamma)製程節點的低功耗雙倍資料速率(LPDDR5X)記憶體認證樣品。1γ製程之所以能實現這些突破,關鍵在於美光採用了多項先進的半導體製造技術。這是美光首款應用極紫外光(EUV)微影技術的行動記憶體解決

隨著半導體製程技術的持續進步,晶片微縮已達到物理極限,傳統的光刻技術面臨挑戰。在此背景下,原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)技術因其薄膜沉積精度,成為推動半導體微縮的關鍵技術之一。 ALD是一種氣相化學沉積

隨著生成式AI技術的快速發展,全球記憶體市場需求急劇上升,這波趨勢不僅刺激了全球供應鏈的加速轉型,也為中國記憶體產業帶來嶄新的發展契機。長鑫存儲(CXMT)等中國企業,正憑藉技術突破與市場拓展,努力縮短與全球領先企業的差距,為整個產業的競爭

五年多前,比利時微電子研究中心(imec)提出了半鑲嵌(semi-damascene)這個全新的模組方法,以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。

目前台灣PCB產業除了積極轉型智慧製造節能以減碳之外,還須善用2024年上半年仍受惠於AI需求帶動出口好轉的契機,驅動AI伺服器供應鏈加工技術與材料革新開源,成為確保PCB產值能穩定成長的關鍵。

奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。 儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰, 然而,透過先進的技術和創新,這些挑戰正在逐步被克服。

基於現今人工智慧(AI)時代需要更節能的運算,尤其是在晶片佈線和堆疊方式對於效能和能耗至關重要。應用材料公司今(9)日於美國SEMICON WEST 2024展會,發表兩項新材料工程創新技術,旨在將銅互聯電網佈線微縮到2奈米及以下的邏輯節點

美光科技推出 16Gb DDR5 記憶體,奠基於1β 製程節點技術,美光 1β DDR5 DRAM 的內建系統功能速率可達 7,200 MT/s,目前已出貨給所有資料中心及 PC 客戶。美光 1β DDR5 記憶體採用先進高介電常數 CMO

因應通訊元件、設備和系統製造商的需求,筑波科技推出一種用於化合物半導體的非破壞性晶圓品質測量方案TZ6000。此方案結合TeraView的TeraPulse Lx技術,針對厚度、折射率、電阻率、介電常數、選定位置的表面/次表面缺陷和整個晶圓