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厚翼科技START方案適用於高階通訊開發應用

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全球行動通訊的發展期望建設無縫連結的環境,讓民眾在智慧網路通訊環境和萬物相連,各家通訊晶片商也紛紛積極的發展與佈局。歐美知名4G LTE晶片供應商,採用厚翼科技(HOY Technologies)START(SRAM Built-in Testing And Repairing Technology)解決方案在高階LTE晶片產品中。由於高階LTE晶片其傳輸頻寬較高,相對處理的資料量也較大,記憶體的使用量也越來越多,因此,如何確保傳輸資料的正確性與否,成為晶片實作的非常重要的一環。

厚翼科技(HOY)的START解決方案客戶可以根據實際的項目需求啟用所需的選項,當所有參數(Specification)都設訂完成後,會自動生成BIST和BISR邏輯電路並導入進客戶的設計中,提供多樣化的測試演算法以及彈性的修復功能,能幫助客戶在實作晶片時,確保晶片中的儲存裝置功能正確,提升產品的可靠度。應用在LTE 的產品領域中,能確保資料傳輸正確,進而提升晶片品質,並可協助客戶提高設計效率,且可選配規格的特性可滿足客戶不同應用的需求。

著眼於下一代5G的應用,其規格所支援的傳輸頻寬更高,相對傳輸資料量也會隨之增大,對於記憶體的需求也會日益增加,而確保傳輸的資料正確性也就變得更加重要,厚翼科技(HOY) START解決方案勢必會是5G應用中不可或缺的重要環節。而厚翼科技(HOY)將持續提供更好的解決方案與技術支援服務,幫助客戶縮短產品開發時間,加速產品上市時程,創造出最具競爭力的產品。

超大規模資料中心重塑AI基礎設施
特別企劃半導體AI

超大規模資料中心重塑AI基礎設施

為了增加資料傳輸的速度、距離和效率,AI生態系統正在探索射頻(RF)矽中介層技術,以實現互補式金氧半導體(CMOS)、雙極互補式金氧半導體(BiCMOS)與三五族材料的異質整合。

為了增加資料傳輸的速度、距離和效率,AI生態系統正在探索射頻(RF)矽中介層技術,以實現互補式金氧半導體(CMOS)、雙極互補式金氧半導體(BiCMOS)與三五族材料的異質整合。