為加速設計具卓越效率與高功率密度的氮化鎵（GaN）電源供應器（PSUs），服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出了搭載 MasterGaN1L 系統封裝（SiP） 的 EVL250WMG1L 共振轉換器參考設計。
MasterGaN SiP 將氮化鎵功率元件與專為快速開關控制而優化的閘極驅動器結合，取代傳統的離散元件，提升效能與可靠性，並縮短設計周期，同時節省 PCB 空間。
此參考設計專為空間有限且對效率要求極高的工業應用所打造。結合包含兩顆 650V 150m? 氮化鎵（GaN）FET 的 MasterGaN1L 與 L6599A 共振控制器，該電源供應器可達到超過 94% 的峰值效率，且主端無需散熱器即可運行。該設計也搭配 SRK2001A 同步整流控制器，使整體尺寸縮小至 80mm x 50mm，並達到34W/inch3的優異功率密度。
該電源供應器可提供最高 10A 的輸出電流，相當於在 24Vdc 下達到 250W，並且待機電流消耗低於 1μA，提供優異的節能效能。L6599A 和 SRK2001A 內建的保護功能能夠有效防止過電流、短路和過電壓，並且透過輸入電壓監控確保正確啟動及欠壓鎖定保護。
EVL250WMG1L 現已上市，完全組裝並可供評估使用。完整的相關文檔已發布於 www.st.com/evl250wmg1l，幫助系統設計師加速氮化鎵（GaN）電源專案的開發。
