半導體製造商ROHM針對企業級高性能伺服器和AI伺服器電源，推出實現業界頂級導通電阻和超寬SOA範圍的Nch功率MOSFET。
新產品共計3款機型，包括非常適用於企業級高性能伺服器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）電路的「RS7E200BG（30V）」，以及非常適用於AI伺服器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側的「RS7N200BH（80V）」和「RS7N160BH（80V）」。
新產品採用了新開發的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封裝，與傳統HSOP8（5.0mm×6.0mm）封裝相比，封裝內的晶片可用面積增加了約65%。因此新產品能夠以5.0mm×6.0mm的封裝尺寸實現業界頂級導通電阻，30V產品「RS7E200BG」的導通電阻僅為0.53mΩ（Typ.），80V產品「RS7N200BH」僅為1.7mΩ（Typ.），非常有助提高伺服器電源電路的效率。
另外透過優化封裝內部的夾片(Clip)形狀設計，提高了散熱性能，同時亦提高了有助確保應用產品可靠性的SOA範圍。尤其是30V產品「RS7E200BG」，其SOA範圍達70A以上（條件：脈衝寬度=1ms、VDS=12V時），與傳統HSOP8封裝產品相比，在相同條件下SOA範圍提高了一倍，以5.0mm×6.0mm的封裝尺寸實現了業界頂級SOA範圍。
新產品已經暫以每月100萬個的規模投入量產（樣品價格：710日元/個，未稅）。前段製程的生產據點2 / 3 為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），後段製程的生產據點為OSAT（泰國），並已開始透過電商平台銷售。
ROHM計畫在2025年內逐步實現量產可支援AI伺服器熱插拔控制器電路應用的功率MOSFET。今後ROHM將繼續擴大產品陣容，為應用的高效運行和高可靠性貢獻力量。
