無晶圓廠潔淨技術半導體Cambridge GaN Devices（CGD）致力於開發氮化鎵（GaN）器件，近日與全球連接和電源解決方案供應商Qorvo合作開發 GaN 在馬達控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。 CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流馬達（BLDC）和永磁同步馬達（PMSM）應用，提供易用性和可靠性，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。Qorvo 在為其 PAC5556A 高性能 BLDC/PMSM 馬達控制器和驅動器設計的 EVK 中採用 CGD 的 ICeGaN（IC 增強型 GaN）科技。
GaN 帶來損耗更低，帶來更高效率，進而新增功率可用性和產生更少的熱量等益處。 這減少了對複雜、龐大和昂貴的熱管理解決方案的需求，從而產生更小、更強大、壽命更長的系統。 GaN 還可以在低速時提供更高的扭矩，因此可以實現更精確的控制。 此外，GaN可實現高速開關，這可以減少可聽雜訊，這對於吊扇、熱泵和冰櫃等家電尤其重要。
此外，ICeGaN提供幾個顯著的優點 ICeGaN 的閘極驅動電壓與 IGBT 相容。 由於 ICeGaN 在 GaN IC 內整合米勒箝比特，所以不需要負關斷電壓，並且可以使用低成本的電流驅動器。而ICeGaN 內嵌電流感測功能簡化電路設計，並?少了物料清單（BOM）。參考設計現已上市，EVK RD5556GaN 將在今年第3季上市。
