搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告

Littelfuse推出四通道瞬態抑制二極體陣列

瀏覽次數:3890

Littelfuse公司日前宣佈推出小型四通道雙向SP1015系列瞬態抑制二極體陣列(SPA二極體),旨在為可能遭受破壞性靜電放電(ESD)的資料線提供保護。 該系列功能強大的二極體能安全地吸收高於IEC61000-4-2國際標準規定的最高級別的反復性ESD放電(+/-20kV接觸放電,+/-30kV空氣放電),而無需擔心其性能減退。存在交流信號時,雙向配置可為資料線提供對稱ESD保護。SP1015系列的動態電阻支援保護現代電子設備中小尺寸積體電路所需的低箝位元電壓。由於SP1015系列能以緊湊的倒裝晶片封裝提供四條線路的ESD保護,因此非常適合電路板空間有限的應用,包括微型SIM卡介面、觸屏控制器線路以及智慧手機、可穿戴設備、平板電腦和電子閱讀器中的通用輸入/輸出線路。

Littelfuse瞬態抑制二極體陣列產品經理Tim Micun表示:「SP1015系列採用了我們的SP1012系列瞬態抑制二極體陣列開發的技術。其外形小巧,所占空間不足1平方毫米,能夠?明電路設計師節約印刷電路板的空間和成本。」

SP1015系列採用0.93x0.53毫米倒裝晶片封裝(0402格式),並提供卷帶封裝。可索取樣品。

產品特色

‧佔用空間不足0.93x0.53毫米,但可提供四條線路的ESD保護,能夠緊密排布在微型SIM(uSIM)插座旁,從而最大限度地降低印刷電路板空間要求和成本。

‧雙向配置,對於6英寸以下觸控式螢幕的保護電容至關重要

‧提供超出IEC61000-4-2標準最高額定值的ESD保護,保護功能可確保提高設計餘量以及最終產品在實際應用中的可靠性。

‧極低的動態電阻(0.65歐姆)可支援用於保護內部填充有小尺寸積體電路的現代電子產品所需的低箝位元電壓。

‧標稱5V斷態電壓可為大多數目前和未來的使用者介面提供保護

超大規模資料中心重塑AI基礎設施
特別企劃半導體AI

超大規模資料中心重塑AI基礎設施

為了增加資料傳輸的速度、距離和效率,AI生態系統正在探索射頻(RF)矽中介層技術,以實現互補式金氧半導體(CMOS)、雙極互補式金氧半導體(BiCMOS)與三五族材料的異質整合。

為了增加資料傳輸的速度、距離和效率,AI生態系統正在探索射頻(RF)矽中介層技術,以實現互補式金氧半導體(CMOS)、雙極互補式金氧半導體(BiCMOS)與三五族材料的異質整合。