外電消息報導，英特爾（Intel）於週二（5/22）宣佈，從其下一代微處理器開始停止使用含鉛的半導體物料，朝向無鉛化發展。
報導指出，英特爾將從45奈米製程的Penryn產品線開始實施這項措施，預計將在今年就能步上無鉛化的目標。據了解，其餘的65奈米的晶片也將在明年開始實施無鉛化措施。
英特爾透露，為了落實無鉛化的計畫，英特爾投入了1億美元來開發在封裝晶片時的替代產品。英特爾表示，鉛是一種有毒的物質，但因其電子和機械的特性優良，非常適合在半導體製造的過程中使用。
英特爾首次的無鉛化試驗是在2002年時，當時它生產了一種使用錫/銀/銅合金的快閃記憶體。至2004年時，該公司已成功在其晶片組和處理器上替換了大部分的錫/鉛合金。但在晶片內部的矽基和晶片封裝連接之處，仍使用了微量的鉛。
至於使用錫/銀/銅合金來替代錫/鉛合金的成本英特爾並未透露，僅表示將不會影響到晶片的性能。
