瑞薩電子（Renesas）日前宣佈已開發出一款適用於汽車即時應用領域之40奈米（nm）記憶體智慧財產權（IP）。瑞薩亦使用上述40奈米快閃記憶體技術，針對汽車應用領域推出40奈米嵌入式快閃記憶體微控制器（MCU），其樣品將於2012年秋季開始供應。
瑞薩表示，其在開發具有高品質及可靠性的快閃記憶體MONOS（金屬氮氧矽）技術方面，擁有豐富的經驗。在2007年，瑞薩也是首先推出90奈米汽車用快閃記憶體MCU產品的廠商。
瑞薩快閃記憶體MONOS技術為可擴充的技術，40奈米快閃記憶體測試元件的評估結果，已證明其在三個重要的參數（資料保存、程式／抹除週期耐受性及程式設計時間）方面，均能成功做到特性表現。40奈米製程節點可整合多種與安全相關的功能性與通訊介面。
瑞薩的40奈米快閃記憶體IP保證資料可保存20年，並可在最高170℃結合溫度下進行讀取。此外，程式碼快閃記憶體支援120 MHz讀取速度，而資料快閃記憶體即使在125,000次程式／抹除週期後，仍可達到20年資料保存時間。
