高溫半導體方案供應商CISSOID近日發佈，新款快速高溫功率晶體驅動器參考設計PROMETHEUS-II。其適用於-55℃至+225℃的操作。PROMETHEUS-II的解決方案是用來驅動碳化矽（SiC）、氮化鎵和其他功率元件，如需用於高達225℃可靠和持續運行的MOSFET,IGBT,JFET及BJT。
PROMETHEUS-II為Cissoid TITAN功率驅動器成員之一，立基於最近推出的高溫半橋式驅動CHT-HYPERION參考設計。所有組件材料都是Cissoid的高溫可靠的產品，這確保在極端的溫度下可靠地運行。
相對於早期版本，PROMETHEUS-II可帶來更大的反向/源電流能力，更短的延遲和更快的上升和下降時間。在25℃的開關模式中CHT-NMOS4005能夠吸收高達6A。對於需要更高的電流容量，可以使用CHT-NMOS4010（為12A @25℃）或CHT-NMOS4020（為22A@25℃）。
PROMETHEUS-II是用於高電壓、高功率直流/交流電機驅動器、開關電源（SMPS）以及任何其他在高溫環境中的功率轉換應用，另，也可用於系統設計師要除去昂貴的冷卻系統時使用。其目標市場是航空（電傳線）、火車、汽車（電動和混合動力汽車）、工業和石油與天然氣。
CISSOID表示，PROMETHEUS-II的應用手冊將會在要求下提供。該內容包括建造功率晶體管驅動器的詳細指示、參考設計、材料和原理圖以及每塊材料的實施程序。根據特定客戶的需求，PROMETHEUS-II可以選擇用已封裝好的元件與高溫印刷電路板一並封裝，或用一個多晶片模組封裝。
