瑞薩科技發表12款適用於隔離式DC-DC整流器之第十代功率MOSFET，可用於伺服器、通訊設備、工業設備等電源供應器。新推出的功率MOSFET可降低開關損耗，提升能源效率並涵蓋多種電壓範圍（40 V、60 V、80 V、100 V）。已於2009年12月3日開始量產。
瑞薩表示，為了降低隔離式DC-DC整流器的耗電量，必須使功率MOSFET具有較低的汲閘負載電容（Qgd），汲閘負載電容是達到較低開關耗損的關鍵因素。此次新推出的12款功率MOSFET採用該公司的0.18 μm 第十代製程，並已針對此應用最佳化。例如，可承受100V電壓的RJK1056DPB，汲閘負載電容（Qgd）為 7.5nC，約為瑞薩科技早期產品HAT2173H（14.5 nC）的二分之一。
此外，新款MOSFET採用瑞薩科技經過實證的LEPAK（瑞薩科技封裝代碼）高效能封裝， 可同時提供較低的封裝阻抗及優異的散熱特性，避免元件過熱。相較於傳統的SOP-8或類似封裝，此種封裝本身有助於產品的低損耗特性。內部的連接與框架直接相連，可降低封裝電感並確保適用於高頻率運作。
