Vishay宣佈推出適用於高溫應用的新型高性能Schottky二極體第5代矽平臺，以及具有低正向壓降、低反向漏電流和較高的最大結溫的8款新型器件。
Vishay新型Schottky二極體系列採用亞微米溝槽技術，最大結溫為+175°C，適用於汽車及其它高溫應用。器件採用符合RoHS的小型封裝，以改善成本能耗比，並提供反向偏置安全運行區(RBSOA)，以滿足嚴格、極具成本效益的設計要求。擊穿電壓較高且穩定(>115 V)，以提供電壓抑制，優化功率密度，與前幾代產品相比，該二極體系列的功率密度提升了30%。即使如此，新型器件價格還最多可比Vishay 3.1代和2.0代平面型器件便宜10%。
新型二極體適用於交流至直流、次級整流、反激式、降壓和升壓轉換器、半橋、反向電池保護、續流、D型放大器和直流至直流模組應用。一般終端產品包括高功率密度 SMPS、臺式PC適配器、伺服器、汽車驅動器和控制裝置、電信網路、PDP、LCD和高效音頻系統等消費類電子，以及筆記本、移動電話和可擕式媒體播放器等移動電子設備。
新型器件典型正向壓降極低，範圍由0.55V（電流為8A）至0.61V（電流為30A），典型反向漏電流極小，溫度為125°C時，範圍由1 mA至5.5mA，且參數分佈非常緊湊。上述器件堅固耐用，具有抗反向雪崩能力，雪崩時部件可得到完全遮罩，且開關損耗極小。
