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Zetex新MOSFET使超低閘驅動操作倍添優勢

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類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex,推出三款針對可用驅動電壓有限的應用而設計的N通道增強型MOSFET。

這三款新元件分別為20V的ZXMN2B03E6(SOT236封裝)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F(兩者均屬SOT23封裝)。它們可在1.8VGS下提供低損耗開關功能,因此能以兩個1.2V電池或一個鋰電池來驅動。它們的閘驅動超低,可直接通過邏輯閘來驅動。

Zetex保證三款新MOSFET的通態電阻(RDS(ON) ),在1.8VGS下分別低於75mΩ、100mΩ和200mΩ,在4.5VGS下則低於 40mΩ、55mΩ和100mΩ,在低電壓應用中適用,例如高端斷線開關的電平位移、升壓轉換器電路的外部開關,以至低電壓微控制器和馬達、螺絲管等負載的緩衝等。

快迅開關是Zetex專有UMOS技術的另一項主要特點。例如ZXMN2B01F在VGS = 4.5V和ID = 1A情況下的上升和下降時間只有3.6ns及10.5ns。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

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