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Vishay推出新型雙向非同步單線路ESD保護二極體

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Vishay宣佈推出新型雙向非同步(BiAs)單線路ESD保護二極體,該器件採用超小型SOD923封裝且具有極低的電容。

憑藉0.6毫米×1.0毫米的占位面積以及0.4毫米的超薄厚度,VCUT0714A-02Z可在面向移動計算、移動通信、消費類、工業、汽車及醫療應用的電子設備中減小實現ESD保護所需的板面空間。

該新型器件在0 V時具有不到8pF的低典型電容以及不到0.1 µA的較低最大漏電電流。該ESD保護二極體的工作電壓範圍介於–7 V~+14 V或–14 V~+7 V。

VCUT0714A-02Z為一條資料線提供了符合IEC 61000-4-2(ESD)的 30 kV(空氣及觸點放電)瞬態保護,以及符合IEC 61000-4-5(雷電)的 4.5 A(tp=8/20µs)瞬態保護。該器件還符合RoHS 2002/95/EC及WEEE 2002/96/EC規範。

目前,採用小型SOD923封裝的新型ESD單線路保護二極體的樣品已可提供。量產批量將於2007年第二季度提供,大宗訂單的供貨週期為10~12周。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

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