美高森美公司(Microsemi) 日前推出新一代1200V非貫穿型IGBT系列中的第一款產品。新的IGBT系列採用美高森美頂尖的Power MOS 8技術，與競爭解決方案相比，整體開關和導通損耗顯著降低20%或以。這些IGBT元件主要針對焊接機、太陽能逆變器和不斷電與開關電源等應用。
美高森美新的離散元件產品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些元件可以獨立形式提供，或者與任何一款美高森美的FRED或碳化矽蕭特基(Schottky) 二極體組合封裝提供，以便簡化產品開發和製造。其它特性包括：
閘極電荷(Qg) 比競爭產品顯著減少，提供更快的開關性能；
硬體開關運作頻率高於80 KHz，達到更高效率的功率轉換；
易於並聯 (Vcesat之正溫度系數)，可提升高功率應用的可靠性；以及
額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，為需要短路能力的應用提供可靠運作
APT40GR120B電晶體採用TO-247封裝，APT40GR120S採用表面安裝D3 PAK封裝，APT40GR120B2D30則是T-MAX封裝元件，包含了一個採用美高森美的專有「DQ」系列低開關損耗、額定雪崩能量二極體技術製造的30A反向平行、超快速恢復二極體。
