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快捷推出FDMS36xxS功率級非對稱雙MOSFET模組

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快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)近日宣布,推出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模組。

FDMS36xxS系列元件在PQFN封裝中結合控制和同步MOSFET,以及一個單晶片內含蕭特基寄生二極體。這些元件的開關節點已於內部連接,能夠輕易進行同步降壓轉換器的佈局和佈線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFE)(Q2)專門為高達30A的輸出電流而設計,可提供最佳的效率。FDMS36xxS系列將上述元件整合在一個模組中,可為代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝,可有效節省線路板空間。

FDMS36XXS系列產品採用快捷半導體先進的電荷平衡架構(遮罩閘極技術)和先進封裝技術,可在高性能運算的額定崩潰電壓下,取得低於2mΩ的業界領先低側RDS(ON)。該系列產品經過最佳化處理,以便儘量減低300kHz至600KHz範圍的綜合傳導損失和開關損失,為負載點和多相同步降壓DC-DC應用帶來可靠的最高效率。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

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