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ST推出MasterGaN系列新款非對稱拓撲產品
[SmartAuto 報導]   2021年01月26日 星期二 瀏覽人次: [737]

半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics;ST)MasterGaN平台的創新優勢持續延伸,今日推出的新款MasterGaN2,是新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)電晶體的首款產品,適用於軟開關有源鉗位元反激拓撲的GaN整合化解決方案。

意法半導體MasterGaN系列新增優化的非對稱拓撲產品
意法半導體MasterGaN系列新增優化的非對稱拓撲產品

兩個650V常關型GaN電晶體的導通電阻(RDS(on))分別為150mΩ和225mΩ,每個電晶體皆整合一個優化的閘極驅動器,讓GaN電晶體如普通矽元件一般便捷易用。其整合了先進驅動功能和GaN既有的性能優勢,MasterGaN2可進一步提升有源鉗位反激式轉換器等拓撲電路之高效能、小體積和輕量化優勢。

MasterGaN功率系統級封裝(SiP)系列在同一封裝整合了兩個GaN高電子遷移率電晶體(HEMT)和配套的高壓閘極驅動器,還內建了所有必備的保護功能。設計人員可以輕鬆將霍爾感測器和DSP、FPGA或微控制器等外部裝置與MasterGaN元件連線。輸入相容3.3V-15V邏輯訊號,有助於簡化電路設計和物料清單,並可使用更小的電路板,簡化產品安裝。這種整合方案有助於提升轉接器和快充充電器的功率密度。

GaN技術正在推動USB-PD轉接器和智慧型手機充電器朝快充發展。意法半導體的MasterGaN元件可讓這些充電器體積縮小高達80%,同時減輕70%的重量,而充電速度是普通矽基解決方案的三倍。

內建保護功能包括高低邊欠壓鎖定(Under-Voltage Lockout;UVLO)、閘極驅動器互鎖、專用關閉腳位和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應用而優化的封裝,高低壓焊盤之間之安全距離超過2mm。

MasterGaN2現已量產。

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