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敏博推出U.2與M.2 PCIe Gen3x4固態硬碟搭配3D MLC快閃記憶體
[SmartAuto 陳復霞整理 報導]   2017年02月10日 星期五 瀏覽人次: [4762]

繼英特爾與三星之後,敏博(MemxPro)導入全新技術,正式發表PCIe Gen3x4高速介面之U.2 PCIe A4E系列產品,成為全球第三家推出U.2系列的固態硬碟製造廠商。敏博新推出的PCIe Gen3x4 SSD系列採用主控晶片大廠慧榮Silicon Motion SM2260控制器,支援NVMe傳輸控制標準,搭載美光Micron先進3D NAND架構MLC快閃記憶體,切入伺服器與資料中心儲存裝置應用市場,目前亦推出M.2 PCIe 2280,符合專業人士、科技狂熱者與玩家的使用需求。

敏博全新PCIe系列產品包括U.2 SSD與M.2 2280,進軍伺服器與電競筆電市場。
敏博全新PCIe系列產品包括U.2 SSD與M.2 2280,進軍伺服器與電競筆電市場。

隨著SSD市場快速成長以及SATA III產品逐漸普及,在速度上已達到理論傳輸頻寬6.0Gb/s的上限,敏博積極開發新一代PCIe 3.0規格NVMe SSD,採用四線道高傳輸速度,理論傳輸頻寬達32Gb/s。在PCIe匯流排頻寬奧援下,速度為 SATA 6.0Gb/s機種的數倍。

此外,敏博的U.2 PCIe SSD搭配先進之3D MLC快閃記憶體,創新技術引領儲存效能與耐用度的全面提升。3D NAND技術,採用垂直堆疊多層數據儲存單元的方式來提高NAND的容量,當3D NAND快閃記憶體單位面積容量增加,每片晶圓所能生產的NAND容量變大。之前的2D平面快閃記憶體,在提升速度與容量的前提下,不斷推出新製程技術加強儲存密度,目前達到1x奈米,製程微縮導致產品良率與抹寫週期下降,並且已達微縮瓶頸。3D NAND技術可利用既有製程,預估成本將隨之降低,並能提高快閃記憶體可靠度與耐久性。

敏博U.2 PCIe SSD系列推出的容量包含128GB、256GB及512GB,連續讀寫速度達1,454MB/s及969MB/s,隨機讀寫速度達86,500 IOPS及155,500 IOPS。M.2 PCIe 2280符合M.2 (NGFF)之22mm(寬)x80mm(長)規範標準,其小尺寸適合有限空間的嵌入式應用,提高建置佈署的彈性。U.2 PCIe A4與M.2 PCIe A4E目前已正式量產。NVMe PCIe將逐漸演變成下一世代的SSD主流介面,在不久的將來,亦會逐步擴展到物聯網終端與工控儲存裝置相關應用。

U.2與M.2 PCIe系列皆可選擇搭載敏博自行開發的SMARTPro智慧監控軟體,監看儲存裝置健康狀態、溫度、流量及生命週期等資訊,SMARTPro亦提供客製化服務,節省客戶開發時間與成本。

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