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英飛凌推出新一代80V與100V功率MOSFET 電源效率再升級
[SmartAuto 報導]   2021年03月22日 星期一 瀏覽人次: [1205]

英飛凌科技推出StrongIRFET 2新一代功率MOSFET技術的80V和100V產品。新產品擁有廣泛的經銷供貨通路和出色的性價比,成為設計人員可以便利選購的理想產品。該產品系列針對高、低切換頻率進行最佳化,可支援廣泛的應用範圍,提供高度的設計靈活性,可受益於StrongIRFET的應用包括SMPS、馬達驅動、電池充電工具、電池管理、UPS及輕型電動車。

與上一代產品相比,英飛凌新款StrongIRFET 技術的RDS(on)  改善了40%,且Qg降低了50%以上,大幅提升了電源效率,進而改善整體系統效能。
與上一代產品相比,英飛凌新款StrongIRFET 技術的RDS(on) 改善了40%,且Qg降低了50%以上,大幅提升了電源效率,進而改善整體系統效能。

與上一代產品相比,新款StrongIRFET技術的RDS(on) 改善了40%,且Qg降低了50%以上,因此提升了電源效率,進而改善整體系統效能。增加的額定電流可提供更高的電流承載能力,無須併聯多個裝置,從而降低BOM成本和電路板面積。

採TO-220封裝的全新StrongIRFET 2產品已開放訂購。該系列包含80V和100V的各種RDS(on) 等級。新產品組合將推出更多封裝,包括TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7針腳和DPAK。

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