ROHM新推出「RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列」共13款Nch MOSFET产品（40V/60V/80V/100V/150V），该系列产品非常适合驱动以24V、36V、48V等级电源供电的应用，例如基地台和伺服器电源、工控和消费性电子设备用的马达等。

ROHM推出业界顶级超低导通电阻Nch MOSFET，有助提高应用设备效率，新推出40V～150V耐压共13款产品，非常适用於工控设备电源和各类型马达驱动

近年来，全球电力需求量持续增加，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，从而要求不断提高各种马达和基地台、伺服器等工控设备的效率。在上述应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用於各种电路中，制造商也因此要求能进一步降低功耗。

另一方面，导通电阻和Qgd是引起MOSFET功率损耗的两项主要叁数，但对於普通的MOSFET而言，由於导通电阻与晶片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项叁数。针对这个课题，ROHM透过微细化制程、采用铜夹连接、重新检视闸极结构等措施，改善了两者之间难以取舍的关系。

新产品不仅利用微细化制程提高了元件性能，还透过采用低阻值铜夹连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron），与传统产品相比，导通电阻降低了50%。

另外，透过重新检视闸极结构，Qgd（闸极-汲极间电荷量，通常与导通电阻之间存在难以取舍的关系）也比传统产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。

因此可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助各种应用产品的高效率工作。例如，在工控设备用电源评估板上比较电源效率时，新产品在稳定工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。