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ST推出驱动与GaN整合式产品 开创更小、更快充电器电源时代
Dressing udstyr   2020年10月06日 星期二 浏览人次: [934]

半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics;ST)推出首款嵌入矽基半桥驱动晶片和一对氮化??(GaN)电晶体的MasterGaN产品平台。该整合化解决方案将有助於加速最高400W之下一代轻量节能消费性电子、工业充电器,以及电源转接器的开发速度。

ST全新嵌入矽基半桥驱动晶片和一对氮化??(GaN)电晶体的MasterGaN产品平台相较矽充电器和转接器,尺寸缩小80%,重量减轻70%,且充电速度提升3倍
ST全新嵌入矽基半桥驱动晶片和一对氮化??(GaN)电晶体的MasterGaN产品平台相较矽充电器和转接器,尺寸缩小80%,重量减轻70%,且充电速度提升3倍

GaN技术使电力装置能够处理更大功率,同时装置本身将变得更小、更轻,而且更节能。这些改良将会改变智慧型手机超快充电器和无线充电器、PC和游戏机的USB-PD高功率配置转接器,以及太阳能储电系统、不断电供应系统或高阶OLED电视机,还有云端伺服器等工业应用。

在目前的GaN市场上,功率电晶体和驱动IC通常是离散元件,这使设计人员必须学习两者间的协同作业,以达到最隹性能。意法半导体的MasterGaN绕过了这一挑战,缩短了产品上市时间,并获得预期的性能,同时使封装变得更小、更简单、电路元件更少,而且系统变得可靠性更高。透过GaN技术和意法半导体整合式产品的优势,采用新产品的充电器和转接器将相较普通矽基解决方案尺寸缩减80%,重量亦降低了70%。

意法半导体执行??总裁、类比产品分部总经理Matteo Lo Presti表示,「ST独有的MasterGaN产品平台透过我们经过市场检验的专业知识和设计能力,再整合高压智慧功率BCD制程与GaN技术而成,能够加速开发兼具节省空间、高效能的产品。」

MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品,其整合两个半桥配置的GaN功率电晶体和半桥驱动晶片。

MasterGaN1现已量产,采用9mm x 9mm GQFN封装,厚度仅1mm。

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