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ROHM推出600V SuperJunction MOSFET PrestoMOS
Dressing udstyr   2019年03月27日 星期三 浏览人次: [3665]

ROHM推出600V耐压超接合面MOSFET「PrestoMOS」系列产品,在保持最快反向恢复时间(trr)的同时,提高设计灵活度,非常适用於空调、冰箱等生活家电的马达驱动以及EV充电桩,而该「R60xxJNx系列」产品群於近期又新增共30种机型。

ROHM推出600V SuperJunction MOSFET PrestoMOS
ROHM推出600V SuperJunction MOSFET PrestoMOS

此次研发的新系列产品与传统产品同样利用了ROHM的LifeTime控制技术,实现了最快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比,轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外,透过提高导通MOSFET所需要的电压基准,可以避免发生造成损耗增加原因之一的误开启(Self Turn-on)现象。不仅如此,还透过最隹化内建二极体的特性,改善了超接合面MOSFET特有的软恢复指数,可减少引发误动作的杂讯干扰。透过减少这些阻碍使用者实 行最隹化电路时的障碍,以提高设计灵活度。

据了解,在全球的功率需求中,近50%用於马达驱动,随着生活家电在新兴国家的普及,马达驱动带来的功率消耗量预计会逐年增加。一般来说,包括空调和冰箱在内,生活家电多使用变频电路进行马达驱动,而变频电路的开关元件通常会使用IGBT。然而,近年来在节能性能需求高涨的大趋势下,可有效降低装置稳定运行时功耗的MOSFET正在逐步取代IGBT。

Presto表示“极快”,是源自於义大利语的音乐术语。通常MOSFET具有快速开关以及在低电流范围的低导通损耗的优势。例如,用於空调的情况下,非常有助於稳定运转时实现低功耗。PrestoMOS正是在低电流范围实现低功耗、以业界最快的反向恢 复时间(trr)为特点的ROHM独创的功率MOSFET。

开关速度的高速化与误开启现象、杂讯干扰是相悖的,使用者在电路设计时需要透过调整闸极电阻来进行最隹化。与一般的MOSFET相比,ROHM的R60xxJNx系列已经采取了针对误开启现象以及杂讯的对策,有助於提高设计灵活 度。

避免增加损耗的误开启对策

本系列产品透过最隹化 MOSFET 结构上存在的寄生电容,将开关时的额外闸极电压降低了20%。另外,使MOSFET导通所需的??值电压(Vth)增加了约1.5倍,是“不易产生误开启现象的设计”。因此,扩大了用户透过闸极电阻来进行损耗调节的范围。

改善恢复特性,减少杂讯干扰

一般来说,超接合面MOSFET的内建二极体的恢复特性为硬恢复。 然而,ROHM的R60xxJNx系列,透过最隹化结构,与传统产品相比, 新产品的软恢复指数改善了30%,不仅保持了业界最快的反向恢复 时间(trr),还成功减少了杂讯干扰。因此,用户可更轻易地透过闸极 电阻来调节杂讯干扰。

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