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敏博推出U.2与M.2 PCIe Gen3x4固态硬碟搭配3D MLC快闪记忆体
Dressing udstyr   2017年02月10日 星期五 浏览人次: [4901]

继英特尔与三星之后,敏博(MemxPro)导入全新技术,正式发表PCIe Gen3x4高速介面之U.2 PCIe A4E系列产品,成为全球第三家推出U.2系列的固态硬碟制造厂商。敏博新推出的PCIe Gen3x4 SSD系列采用主控晶片大厂慧荣Silicon Motion SM2260控制器,支援NVMe传输控制标准,搭载美光Micron先进3D NAND架构MLC快闪记忆体,切入伺服器与资料中心储存装置应用市场,目前亦推出M.2 PCIe 2280,符合专业人士、科技狂热者与玩家的使用需求。

敏博全新PCIe系列产品包括U.2 SSD与M.2 2280,进军伺服器与电竞笔电市场。
敏博全新PCIe系列产品包括U.2 SSD与M.2 2280,进军伺服器与电竞笔电市场。

随着SSD市场快速成长以及SATA III产品逐渐普及,在速度上已达到理论传输频宽6.0Gb/s的上限,敏博积极开发新一代PCIe 3.0规格NVMe SSD,采用四线道高传输速度,理论传输频宽达32Gb/s。在PCIe汇流排频宽奥援下,速度为 SATA 6.0Gb/s机种的数倍。

此外,敏博的U.2 PCIe SSD搭配先进之3D MLC快闪记忆体,创新技术引领储存效能与耐用度的全面提升。 3D NAND技术,采用垂直堆叠多层数据储存单元的方式来提高NAND的容量,当3D NAND快闪记忆体单位面积容量增加,每片晶圆所能生产的NAND容量变大。之前的2D平面快闪记忆体,在提升速度与容量的前提下,不断推出新制程技术加强储存密度,目前达到1x奈米,制程微缩导致产品良率与抹写周期下降,并且已达微缩瓶颈。3D NAND技术可利用既有制程,预估成本将随之降低,并能提高快闪记忆体可靠度与耐久性。

敏博U.2 PCIe SSD系列推出的容量包含128GB、256GB及512GB,连续读写速度达1,454MB/s及969MB/s,随机读写速度达86,500 IOPS及155,500 IOPS。 M.2 PCIe 2280符合M.2 (NGFF)之22mm(宽)x80mm(长)规范标准,其小尺寸适合有限空间的嵌入式应用,提高建置布署的弹性。 U.2 PCIe A4与M.2 PCIe A4E目前已正式量产。 NVMe PCIe将逐渐演变成下一世代的SSD主流介面,在不久的将来,亦会逐步扩展到物联网终端与工控储存装置相关应用。

U.2与M.2 PCIe系列皆可选择搭载敏博自行开发的SMARTPro智慧监控软体,监看储存装置健康状态、温度、流量及生命周期等资讯,SMARTPro亦提供客制化服务,节省客户开发时间与成本。

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