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Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT
Dressing udstyr   2024年06月13日 星期四 浏览人次: [560]

Littelfuse公司推出低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器IX4352NE,这款创新的驱动器专门设计用於驱动工业应用中的碳化矽(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极电晶体(IGBT)。IX4352NE的主要优势在於其独立的9A拉/灌电流输出,支援量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器还能提供使用者可选的负闸极驱动偏置,以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。此驱动器的工作电压范围(VDD - VSS)高达35V,具有出色的灵活性和性能。

新型驱动器IX4352NE可提供量身定制的导通和关断时序,将开关损耗降至最低,并增强dV/dt抗扰性能。
新型驱动器IX4352NE可提供量身定制的导通和关断时序,将开关损耗降至最低,并增强dV/dt抗扰性能。

IX4352NE的突出功能之一是配备内部负电荷泵调节器,无需外部辅助电源设备或DC/DC转换器。此功能对於关断SiC MOSFET尤其实用,可节省外部逻辑电平转换器电路通常所需的宝贵空间。逻辑输入与标准TTL或CMOS逻辑电平相容,进一步增强了节省空间的能力。

IX4352NE适合在各类工业应用中驱动SiC MOSFET,例如车用和非车用充电器、功率因数校正(PFC)、DC/DC转换器、马达控制器和工业电源逆变器。适用於电动车、工业、替代能源、智慧家庭和建筑自动化市场中要求严格的电力电子应用。

IX4352NE简化了电路设计并提供更高的整合度。内建保护功能,如具有软关断灌电流驱动器的去饱和检测(DESAT)、欠压锁定(UVLO)和热关断(TSD)等,可确保功率元件和闸极驱动器得到保护。整合的开漏FAULT输出向微控制器发出故障讯号,增强了安全性和可靠性。此外,IX4352NE还能节省宝贵的PCB空间并提高电路密度,有助於提高整体系统效率。

对现有IX4351NE的显着改进,包括由DESAT启动的安全软关断,高??值精度热关断,以及电荷泵在热关断期间的工作能力。新款IX4352NE与接脚相容,可无缝替换指定使用现有Littelfuse IX4351NE的设计。IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器已供货,并可透过Littelfuse全球各地的授权经销商索取样品。

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