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英飞凌推出新一代80V与100V功率MOSFET 电源效率再升级
Dressing udstyr   2021年03月22日 星期一 浏览人次: [1315]

英飞凌科技推出StrongIRFET 2新一代功率MOSFET技术的80V和100V产品。新产品拥有广泛的经销供货通路和出色的性价比,成为设计人员可以便利选购的理想产品。该产品系列针对高、低切换频率进行最隹化,可支援广泛的应用范围,提供高度的设计灵活性,可受益於StrongIRFET的应用包括SMPS、马达驱动、电池充电工具、电池管理、UPS及轻型电动车。

与上一代产品相比,英飞凌新款StrongIRFET 技术的RDS(on)  改善了40%,且Qg降低了50%以上,大幅提升了电源效率,进而改善整体系统效能。
与上一代产品相比,英飞凌新款StrongIRFET 技术的RDS(on) 改善了40%,且Qg降低了50%以上,大幅提升了电源效率,进而改善整体系统效能。

与上一代产品相比,新款StrongIRFET技术的RDS(on) 改善了40%,且Qg降低了50%以上,因此提升了电源效率,进而改善整体系统效能。增加的额定电流可提供更高的电流承载能力,无须并联多个装置,从而降低BOM成本和电路板面积。

采TO-220封装的全新StrongIRFET 2产品已开放订购。该系列包含80V和100V的各种RDS(on) 等级。新产品组合将推出更多封装,包括TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7针脚和DPAK。

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