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降低开关损耗 儒卓力供货Rohm节能SiC-MOSFET
Dressing udstyr   2020年08月26日 星期三 浏览人次: [1912]

Rohm的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽闸结构(650V / 1200V)的碳化矽MOSFET元件,提供4引脚封装(TO-247-4L)型款,与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比,可最大限度地提高开关性能,并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在伺服器电源、UPS系统、太阳能逆变器和电动汽车(EV)充电站中的节能使用。儒卓力表示已在其电子商务网站上提供这些元件。

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TO-247-4L封装可分离驱动器源极引脚和电源源极引脚,从而最大限度地降低寄生电感分量带来的影响。这有助於显着降低功耗,对於必须提供不断电供应系统的高性能应用尤其具有吸引力。特别是随着先进AI和IoT的发展,对云端服务的需求不断增长,资料中心因此面临着在降低功耗的同时,还要提高容量和性能的挑战。

配套评估板(P02SCT3040KR-EVK-001)中内建有适合於驱动SiC元件的闸极驱动器IC (BM6101FV-C)。多个电源IC及离散式零组件有利於应用评估和开发。由於相容两种封装类型(TO-247-4L和TO-247N),可在相同条件的环境下进行评估。这个评估板可用於升压电路、两电平逆变器、同步整流型降压电路中的双脉冲测试和零组件评估。

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