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ROHM高性能650V耐壓GaN HEMT開始量產
[SmartAuto 陳玨 報導]   2023年05月18日 星期四 瀏覽人次: [2085]

半導體製造商ROHM已開始650V耐壓氮化鎵(GaN)HEMT

ROHM開始量產高效能650V耐壓GaN HEMT,有助提升伺服器和AC適配器等電源系統效率並實現小型化,新產品由ROHM與台達子公司碇基半導體聯合開發而成。
ROHM開始量產高效能650V耐壓GaN HEMT,有助提升伺服器和AC適配器等電源系統效率並實現小型化,新產品由ROHM與台達子公司碇基半導體聯合開發而成。

「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產,此二款產品適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。

據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半,為實現無碳社會,如何提高其效率已成為全球性的重要課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵,碳化矽(SiC)和GaN等新世代半導體材料頗受矚目。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產; 2023年3月確立能大幅發揮GaN性能的控制IC技術。此次為助力提升電源系統效率和實現小型化,ROHM 再推出元件性能達到業界頂級水準的650V耐壓GaN HEMT。

新產品是由ROHM與台達電子公司—專注於GaN元件開發的碇基半導體聯合開發而成,在650V GaN HEMT的元件性能指數方面達到頂級水準,新產品可以大幅降低開關損耗,進一步提高電源系統效率。另外,新產品內建ESD保護元件,將抗靜電能力提高至3.5kV,有助提高應用產品可靠性,而新產品還具有GaN HEMT元件的優勢—高速開關工作,有助週邊元件小型化。

ROHM將有助應用產品節能和小型化的GaN元件命名為「EcoGaN系列」,並不斷致力提高元件性能。新產品已於2023年4月起投入量產,並開始透過電商平台銷售。

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