全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化，在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿。意法半導體計劃於2027年前推出更多先進的碳化矽技術。

意法半導體750V及1200V範圍之小型且高效的產品將於2025年展現能量，進一步將碳化矽技術從頂級車款拓展至中型和小型電動車。

意法半導體類比、功率與離散元件、MEMS和感測器部門總裁Marco Cassis表示，「我們致力透過先進碳化矽技術，推動電動車發展和提升工業效能。我們在元件、封裝和功率模組持續創新，促進碳化矽MOSFET技術進步。結合垂直整合製造策略，我們提供業界領先的碳化矽技術性能和可靠供應鏈，滿足客戶日益成長的需求，為永續未來貢獻力量。」

意法半導體持續創新，充分發揮碳化矽功率MOSFET碳的高效率和大功率密度優勢。最新一代碳化矽元件旨在提升未來電動車牽引變頻器平台的小型化和節能潛力。儘管電動車市場持續成長，普及化仍面臨挑戰，車廠正努力推出更經濟實惠的電動車。採用800V碳化矽系統的電動車已經具備更快充的電速度和更輕的車身重量，使製造商能夠生產續航里程更長的高階車款。

意法半導體最新的750V和1200V碳化矽MOSFET元件將同時提升400V和800V電動車系統牽引變頻器的效率和性能，將碳化矽優勢擴展至中小型電動車，這是達到大規模市場普及的關鍵。第四代碳化矽技術還適用於多種高功率工業應用，如太陽能逆變器、儲能解決方案和數據中心，能夠顯著提升上述應用的效能。意法半導體已完成第四代750V等級產品的認證，並預計在2025年第一季完成1200V等級的認證。隨後將推出額定電壓為750V和1200V的商用元件，協助設計者因應從標準交流電壓到高壓電動車電池及充電器的多種應用需求。

研發藍圖

為了透過垂直整合的製造策略加速碳化矽功率元件的研發，意法半導體正在同步推動多項碳化矽技術創新，力求在未來三年內促進功率元件技術的進步。第五代意法半導體碳化矽功率元件將採用以平面結構為基礎的創新型高功率密度技術。意法半導體同時也正在開發一項顛覆性的創新技術，承諾在高溫環境下提供更出色的導通電阻（RDS(on)）表現，進一步降低導通損耗，顯著超越現有碳化矽技術。