DRAM產業將有一番重組了。據了解，全球第三大廠德國奇夢達與第四大廠商爾必達記憶體將就合作開發DRAM技術簽署備忘錄，並將在近期正式簽訂協議。備忘錄內容將包括：合作開發40nm製程以下的DRAM產品、並包括設計和製程技術在內的IP交叉授權，未來並將成立合資工廠，共同生產產品並統合經營策略等。
兩廠商預計合作開發的是40～30nm先進製程DRAM技術。爾必達將提供其擅長的堆疊電容器技術，而奇夢達則將採用其Buried Wordline技術中的金屬柵極技術及經驗，實現記憶單元的微細化和佈線的低電阻化。
透過此次合作，兩廠商將達到製程技術和設計規則的通用化，並在40nm以後製造構造相同的DRAM元件。雙方都將40nm製程以後的開發案列入此次合作開發的目標。
除了DRAM技術的合作，雙方也將強化兩項合作措施。第一是，合作開發PRAM（phase change RAM）及MRAM（magnetoresistive RAM）等新一代記憶體及矽貫通電極技術。第二則是透過合資工廠進行合作生產以及產品的相互生產。未來並可能討論經營合併的可行性。
