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聯電取得imec iSiPP300矽光子技術授權 布局下世代高速通訊

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聯華電子與imec簽署技術授權協議,取得imec iSiPP300矽光子製程,該製程具備共封裝光學(CPO)相容性,將加速聯電矽光子技術發展藍圖。藉由此次授權合作,聯電將推出12吋矽光子平台,以瞄準下世代高速連接應用市場。

隨著AI數據負載日益增加,傳統銅互連面臨瓶頸,矽光子技術以光傳輸數據,正快速發展以滿足資料中心、高效能運算及網路基礎設施對超高頻寬、低延遲及高能源效率的需求。聯電將結合imec經驗證的12吋矽光子製程技術、加上自身在絕緣層上覆矽(SOI)晶圓製程的專業,以及過往8吋矽光子量產經驗,為客戶提供高度可擴展的光子晶片(PIC)平台。

聯電正與多家新客戶合作,預計在此平台上提供用於光收發器的光子晶片,並於2026及2027年展開風險試產。結合多元的先進封裝技術,聯電在未來系統架構將朝共封裝光學與光學I/O等更高整合度的方向邁進,為資料中心內部及跨資料中心提供高頻寬、低能耗且高度可擴展的光互連應用解決方案。

超大規模資料中心重塑AI基礎設施
特別企劃半導體AI

超大規模資料中心重塑AI基礎設施

為了增加資料傳輸的速度、距離和效率,AI生態系統正在探索射頻(RF)矽中介層技術,以實現互補式金氧半導體(CMOS)、雙極互補式金氧半導體(BiCMOS)與三五族材料的異質整合。

為了增加資料傳輸的速度、距離和效率,AI生態系統正在探索射頻(RF)矽中介層技術,以實現互補式金氧半導體(CMOS)、雙極互補式金氧半導體(BiCMOS)與三五族材料的異質整合。