搜尋
目前主流的基於浮閘快閃記憶體技術的非揮發性記憶體（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，快閃記憶體本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點。在這樣的環境驅使下，業界試圖運用新的材料和概念研發更好的記憶體技術，以替代快閃記憶體，並更有效地縮小記憶體，提高儲存效能。這篇文章將分析主要幾項基於無機材料的新非揮發性記憶體技術，如鐵電記憶體 (FeRAM)、磁阻記憶體(MRAM)和相變化記憶體(PCM)，以及主要的基於鐵電或導電開關聚合物等有機材料的創新記憶體概念。最後將重點式探討相變化記憶體技術，因為該技術最具發展為下一代非揮發性記憶體技術的潛力。…
國際半導體設備材料產業協會(SEMI) 公布最新Book-to-Bill訂單出貨報告，報告中顯示，2008年12月份北美半導體設備製造商三個月平均訂單金額為6.687億美元，B/B Ratio(Book-to-Bill Ratio, 訂單出…
電阻式記憶體的元件結構相當簡單；同時所採用的材料並不特殊，元件所需製程溫度不高，因此相當容易與相關元件或電路製程相整合。本文將介紹電阻式記憶體的元件操作特性，以及工研院電光所奈米電子技術組在電阻式記憶體領域的研發現況；並且也將對同屬於電阻式記憶體範疇的「導通微通道電阻式記憶體」技術作一簡單介紹，使讀者對電阻式記憶體技術能有更完整且深入的瞭解。…
軟性顯示器有著輕、薄、可撓曲、耐衝擊與具安全性，且不受場合、空間限制的特性，儼然成為下一世代最佳之平面顯示器。軟性電子技術被譽為改變人類未來的重要技術之一，將重大衝擊人類視覺感官與生活模式。未來應用在可攜式電子顯示器方面，將更朝向輕、薄、可撓曲的特性發展，而應用在顯示器的軟性高效能電晶體製程，實為關鍵之技術。…
東芝與美國SanDisk共同發表了採用43nm製程，和2bit/單元多層技術所生產的16Gbit NAND快閃記憶體。這種晶片面積僅120平方公厘，可封裝在超小型儲存卡microSD內。新產品配備了控制柵極驅動電路和存儲陣列上的電源匯流排，…
記憶體本身就具有通用與中介的性質，所以發展出來的各類記憶體元件，多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故，所發展的都是非揮發性的記憶體，這樣才能既做為系統隨機存取之用，又能組成各類的儲存裝置，例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等。…