深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
搜尋「金屬層」，共 124 筆
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
先進半導體製程的虛擬填充技術進化 (2026.07.17)
良率決定晶圓製造成本與競爭力，而提升良率已從製程控制延伸至實體設計最佳化。透過智慧化Dummy Fill與EDA演算法協同優化，不僅能兼顧CMP製程需求，更可降低寄生效應、提升晶片效能，為先進製程建立更高的製造優勢。…
imec光阻劑減量：MOR曝光後烘烤步驟注入氧氣成為產量關鍵推手 (2026.03.03)
日前舉行的2026年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有…
2 奈米世代良率決勝負 台積電拉開與三星的關鍵差距 (2025.12.24)
隨著 2026年智慧型手機與AI晶片邁入2 奈米（nm）元年，先進製程競賽全面升溫。供應鏈最新動向顯示，台積電位於新竹寶山與高雄的2奈米產線，在量產前夕即被核心客戶全面預訂，2026年產能幾近售罄。然而即便在「產能告急」與成本壓力並存的情況…
半導體3D晶片堆疊與異質整合技術興起 SPM設備應用範圍可望進一步擴大 (2025.04.14)
在半導體製造過程中，晶圓清洗技術的精度直接影響晶片良率與性能。隨著製程節點邁向28奈米及更先進技術，傳統濕式清洗已無法滿足需求，而高溫硫酸過氧化混合物（SPM）設備因其優異的光刻膠去除與金屬剝離能力，成為不可或缺的關鍵設備。近期，盛美半導體…
半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。…
巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年 (2024.10.24)
巴斯夫和Fraunhofer 光子微系統研究所近日共同慶祝在光子微系統領域的合作達10周年。雙方一直致力於半導體生產和晶片整合領域的創新和客製化解決方案，合作改進微晶片的互連材料。此為巴斯夫電鍍實驗室（BASF Plating-Lab）的領…
跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。 儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰， 然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服。…
imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構。在單次曝光後，9奈米和5奈米（間…
SiC Traction模組的可靠性基石AQG324 (2023.10.13)
在汽車功率模組的開發過程中，由歐洲電力電子中心主導的測試標準—AQG324非常重要，只有完成根據它的測試規範設計的測試計畫，才能得到廣大的車廠認可，而汽車級SiC功率模組也必須通過AQG324的測試規範。…
晶背供電技術的DTCO設計方案 (2023.08.11)
比利時微電子研究中心（imec）於本文攜手矽智財公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網路設計的設計技術協同優化（DTCO）方案，其中採用了奈米矽穿孔及埋入式電源軌來進行晶背佈線。…
DNP開發出適用於半導體封裝的TGV玻璃芯基材 (2023.03.20)
Dai Nippon Printing （簡稱DNP）公司已開發出一款適用於下一代半導體封裝的玻璃芯基材（GCS）。這款新產品用玻璃基材替代了傳統的樹脂基材（例如FC-BGA：覆晶球格陣列）。與採用目前可用技術的半導體封裝相比，透過使用高密…
看好晶片微縮進展 imec提出五大挑戰 (2023.03.13)
面對當代的重大挑戰時，人工智慧應用越來越廣泛，未來的運算需求預計會每半年翻漲一倍。為了在處理暴增的巨量資料的同時維持永續性，需要經過改良的高性能半導體技術。…
探索埃米世代導線材料 金屬化合物會擊敗銅嗎？ (2023.01.19)
大約5年前，imec研究團隊開始探索二元與三元化合物作為未來金屬導線材料的可能性，藉此取代金屬銅。他們設計一套獨特方法，為評估各種潛在的替代材料提供指引。…
imec推出雙層半鑲嵌整合方案 4軌VHV繞線設計加速邏輯元件微縮 (2022.12.09)
本周IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了最新的半鑲嵌整合方案，透過導入VHV繞線技術（vertical-horizontal-vertical）來實現4軌（4T）標準單元設計，加速元件微縮。該半鑲嵌製程…
盛美上海為Ultra C pr設備新添金屬剝離制程 (2022.11.24)
盛美半導體設備（上海）股份有限公司宣佈其為Ultra C pr設備拓展了金屬剝離（MLO）應用，以支援功率半導體製造和晶圓級封裝（WLP）應用。MLO制程是一種形成晶圓表面圖案的方法，省去了蝕刻制程步驟，可降低成本，縮短制程流程，並減少高溫…
非銅金屬半鑲嵌製程 實現窄間距雙層結構互連 (2022.08.05)
imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組，強調窄間距自對準通孔的重要性，同時分析並公開該模組的關鍵性能參數，包含通孔與導線的電阻與可靠度。…
推動2D/3D IC升級 打造絕無僅有生醫感測晶片 (2022.06.22)
隨著半導體先進製程推進到2奈米（nm）之後，晶片微縮電路的布線與架構，就成為性能與可靠度的發展關鍵，而imec的論文則為2奈米以下的晶片製程找到了一條兼具可行性與可靠度的道路。…
解決毫米波挑戰 波束成形提升高頻覆蓋率 (2022.06.22)
除了虛擬化與大規模MIMO之外，波束成形技術也是非常重要的解決方法。 目前波束成形技術已被廣泛接受，將在下一代網路中發揮重要作用。…