高耐用性臨床醫材連接器的工程設計 (2026.07.31)
現代醫療器材對於工程設計的要求極高。一款高效能醫療器材連接器必須能夠承受反覆消毒過程中的化學和熱應力考驗，同時提供完美的電氣導通性。 隨著醫療器材日益複雜，高密度系統越來越需要標準型錄零組件無法提供的客制化解決方案。業界向著更高的電路密度、…
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ASML：從產品、營運及整體價值鏈 推動全方位永續轉型 (2026.05.25)
在 AI 運算與資料中心需求快速成長下，半導體產業在追求更高運算效能的同時，也面臨能源使用與永續發展的挑戰。全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾（ASML）副總裁暨台灣總經理汪佳慧（Grace Wang）強調將透過技術創新與產業合作，在支持產業…
跨越實驗室門檻 EHD噴印技術開啟微奈米製造工業 (2026.03.10)
電流體動力(Electrohydrodynamic)噴印技術憑藉其超高解析度、廣泛的材料兼容性以及低成本優勢，正正式從實驗室研究邁向大規模工業化生產。最新研究綜述指出，透過參數優化、功能性墨水的流變設計以及系統架構的創新，EHD噴印已成功克…
High NA EUV將登場 是否將加速半導體產業寡占？ (2026.02.13)
隨著 2 奈米以下製程逐步逼近量產階段，High NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻機）設備被視為延續摩爾定律的重要關鍵。然而，在技術突破的光環之下，產業界也開始討論一個更現實的問題：當導入門檻與投資規模再創新高，是否將進一步加速全球半導體…
歐盟啟動NanoIC晶片試產線 推進先進製程與AI競爭力 (2026.02.13)
在全球半導體競爭日益激烈的局勢下，歐盟正式啟動 NanoIC 晶片試產線（NanoIC pilot line），意圖強化本土先進半導體研發與製造能力，並縮小與亞洲、美國先進晶片製造的技術差距。該設施於比利時魯汶（Leuven）的 imec …
中國公布EUV原型機研發進展 (2025.12.19)
根據報導指出，中國在極紫外光（EUV）光刻機領域已完成原型機階段的進展。此一成果被視為中國推動高階半導體設備自主化的重要里程碑，也是外界所稱「中國曼哈頓計畫」的關鍵環節之一，顯示中國正積極嘗試突破先進製程設備長期依賴海外供應的結構性限制。 …
以分段屏蔽格柵技術驅動高度整合 (2025.11.12)
本文說明「分段型屏蔽」與「屏蔽隔柵」兩項創新技術，突破系統級封裝（SiP）模組微小化與電磁干擾瓶頸。透過雷射挖槽與導電膠填充實現隔間屏蔽，並結合金屬柵欄與共形屏蔽層，大幅提升EMI防護效能、製程良率與成本效益。…
從中國光刻機國產化腳步 看半導體自主之路的關鍵 (2025.10.21)
在美國持續擴大晶片出口管制、荷蘭加強ASML設備出口限制的壓力下，中國大陸正將光刻機列為半導體產業「卡脖子」環節的首要突破點。2025年，中國光刻技術的進展，特別是193奈米ArF沉浸式DUV機種的開發，成為全球關注焦點。 根據產業消息，中…
無光罩製程成趨勢 DLP技術助攻先進封裝量產化 (2025.10.09)
在半導體製造快速演進的時代，德州儀器（TI）的DLP技術正成為推動數位光刻革命的助力。隨著封裝技術朝向高密度整合、多晶片模組與3D堆疊發展，傳統依賴昂貴光罩的光刻製程已逐漸面臨靈活性與成本的瓶頸。TI的DLP991UUV數位微型反射鏡元件（…
華為AI晶片大舉增產 挑戰NVIDIA主導地位 (2025.10.03)
根據消息指出，華為（Huawei）正計畫大幅提高其最先進AI晶片的產量。此舉被視為華為在全球AI算力市場發起的一場重大攻勢，特別是在美國持續實施出口管制、導致輝達（NVIDIA）等廠商在中國市場面臨地緣政治限制之際，華為正試圖抓住機會，擴大…
ASML高孔徑EUV採用進度放緩 技術與市場拉鋸顯現 (2025.09.29)
荷蘭光刻巨頭 ASML 長期壟斷極紫外光（EUV）市場，其設備成為推動半導體製程不斷前進的關鍵。然而，外界原本寄予厚望的高數值孔徑（High NA）EUV 光刻機，近期卻傳出採用進度不如預期，反映出先進技術與市場現實之間的拉鋸。 高 NA …
SK hynix與ASML完成首台High-NA EUV系統組裝 (2025.09.08)
南韓SK hynix 與荷蘭設備大廠 ASML已成功完成首台「商用 High-NA EUV」系統的組裝作業。這項技術被譽為未來半導體製程的重要基石，代表記憶體產業正邁向新一輪技術革新。 這套設備的核心亮點，在於其數值孔徑（NA）達到 0.5…
先進封裝重塑半導體產業生態系 (2025.09.08)
隨著AI、5G/6G、高效能運算與自駕車等應用持續推進，先進封裝將成為半導體技術突破與產業生態演化的核心引擎。整個產業不再只是追逐「更小的製程節點」，而是進入「系統級最佳化」的新時代。…
旭化成全新感光幹膜適用於先進半導體封裝 (2025.05.26)
旭化成株式會社於2025年5月開發出全新感光幹膜「SUNFORT TA系列」可應用於AI伺服器等先進半導體封裝製造工藝。TA系列旨在應對快速增長的下一代半導體封裝市場需求，該系列產品不僅適用於傳統的Stepper曝光設備，還可對應LDI（鐳…
推進負碳經濟 碳捕捉與封存技術 (2025.05.07)
發展碳捕捉與封存（CCS）等負排放技術，才能補償無法減排或後期累積的排放量。到2050年，全球CO<sub>2</sub>減排量約有15%需要依賴CCS實現。在此背景下，CCS技術已成為重工業和能源業脫碳的關鍵工具。…
半導體3D晶片堆疊與異質整合技術興起 SPM設備應用範圍可望進一步擴大 (2025.04.14)
在半導體製造過程中，晶圓清洗技術的精度直接影響晶片良率與性能。隨著製程節點邁向28奈米及更先進技術，傳統濕式清洗已無法滿足需求，而高溫硫酸過氧化混合物（SPM）設備因其優異的光刻膠去除與金屬剝離能力，成為不可或缺的關鍵設備。近期，盛美半導體…
原子層沉積技術有助推動半導體製程微縮 (2025.02.08)
隨著半導體製程技術的持續進步，晶片微縮已達到物理極限，傳統的光刻技術面臨挑戰。在此背景下，原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）技術因其薄膜沉積精度，成為推動半導體微縮的關鍵技術之一。 ALD是一種氣相化學沉積…
Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25%。此外，…
默克在日本靜岡建設先進材料開發中心 深化半導體創新與永續發展 (2024.12.24)
默克宣布將在日本靜岡廠區投資逾7,000萬歐元，興建一個先進材料開發中心，預計此項目將於2026年投入營運。此次投資總額超過1.2億歐元。新建的先進材料開發中心將以靜岡現有的圖形化製程卓越中心為基礎，專注於開發與製程需求相符、符合環境標準的…
半導體生產技術加速演進 高純度氣體供應為成功基礎 (2024.12.18)
在現代半導體製造過程中，氮氣與氧氣扮演著不可或缺的角色。這些氣體不僅是半導體製造環境中重要的組成部分，更是確保製程穩定性與產品良率的關鍵。氮氣因其化學性質穩定，被廣泛用於提供無氧環境以避免氧化反應，並在製造過程中用於清潔與乾燥晶圓。而氧氣則…