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ST推出驅動與GaN整合式產品 開創更小、更快充電器電源時代
[SmartAuto 報導]   2020年10月06日 星期二 瀏覽人次: [957]

半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics;ST)推出首款嵌入矽基半橋驅動晶片和一對氮化鎵(GaN)電晶體的MasterGaN產品平台。該整合化解決方案將有助於加速最高400W之下一代輕量節能消費性電子、工業充電器,以及電源轉接器的開發速度。

ST全新嵌入矽基半橋驅動晶片和一對氮化鎵(GaN)電晶體的MasterGaN產品平台相較矽充電器和轉接器,尺寸縮小80%,重量減輕70%,且充電速度提升3倍
ST全新嵌入矽基半橋驅動晶片和一對氮化鎵(GaN)電晶體的MasterGaN產品平台相較矽充電器和轉接器,尺寸縮小80%,重量減輕70%,且充電速度提升3倍

GaN技術使電力裝置能夠處理更大功率,同時裝置本身將變得更小、更輕,而且更節能。這些改良將會改變智慧型手機超快充電器和無線充電器、PC和遊戲機的USB-PD高功率配置轉接器,以及太陽能儲電系統、不斷電供應系統或高階OLED電視機,還有雲端伺服器等工業應用。

在目前的GaN市場上,功率電晶體和驅動IC通常是離散元件,這使設計人員必須學習兩者間的協同作業,以達到最佳性能。意法半導體的MasterGaN繞過了這一挑戰,縮短了產品上市時間,並獲得預期的性能,同時使封裝變得更小、更簡單、電路元件更少,而且系統變得可靠性更高。透過GaN技術和意法半導體整合式產品的優勢,採用新產品的充電器和轉接器將相較普通矽基解決方案尺寸縮減80%,重量亦降低了70%。

意法半導體執行副總裁、類比產品分部總經理Matteo Lo Presti表示,「ST獨有的MasterGaN產品平台透過我們經過市場檢驗的專業知識和設計能力,再整合高壓智慧功率BCD製程與GaN技術而成,能夠加速開發兼具節省空間、高效能的產品。」

MasterGaN1是意法半導體新產品平台的首款產品,其整合兩個半橋配置的GaN功率電晶體和半橋驅動晶片。

MasterGaN1現已量產,採用9mm x 9mm GQFN封裝,厚度僅1mm。

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