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意法半導體開始提供車用微控制器嵌入式PCM樣片
[SmartAuto 報導]   2018年12月14日 星期五 瀏覽人次: [3738]

半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics)公布了內建嵌入式相變存儲器(ePCM)的28nm FD-SOI車用微控制器(MCU)技術架構和性能標準,並從現在開始提供主要客戶搭載ePCM的微控制器樣片,預計2020年按照汽車應用要求完成現場試驗,並取得全部技術認證。這些微控制器是世界上首批使用ePCM的微控制器,將被用於汽車傳動系統、先進安全網關、安全/ADAS系統以及汽車電動化。

隨著汽車系統的要求越來越高,提升處理能力、節能降耗、更大存儲容量等需求推進微控制器廠商開發新的車用MCU架構,隨著韌體複雜性和代碼量大幅提升,對容量更大的嵌入式存儲器需求是當前汽車工業面臨的最大挑戰之一。

ePCM解決方案可以克服這些晶片和系統的挑戰,以進一步滿足AEC-Q100 0級汽車標準的要求,其最高工作溫度可達+165℃。此外,意法半導體的ePCM技術確保在高溫回流焊製程後其韌體/數據可完好保存,並且抗輻射,為數據提供更多的安全保護。

意法半導體汽車與離散元件產品部總裁Marco Monti表示,「透過應用ST的製程、設計、技術和專長,我們開發出一個創新的ePCM解決方案,成為首家有能力整合這種非易失性存儲器與28nmFD-SOI技術,並研發高性能之低功耗汽車微控制器的廠商。現在樣片已經送到部分主要客戶手中,我們正在與客戶確認ePCM優異的溫度表現和滿足所有汽車標準的能力,同時積極的反饋意見進一步加強我們對其應用普及和市場成功的信心。」

相變存儲器(PCM)採用鍺銻碲(GST)合金製成,利用材料的物理性質在非晶態和晶態之間的快速熱控變化來存儲數據。非晶態對應邏輯0,晶態對應邏輯1,這兩種狀態在導電性質上存在差異,非晶態電阻高(邏輯0),而晶態電阻低(邏輯1)。

此外,快閃記憶體重寫數據需要至少一次字節或扇區擦寫操作,而PCM技術支援單個數據位元修改,進而簡化了數據存儲過程中的軟體處理環節,意法半導體的相變存儲器得益於其與存儲元件支援高溫數據保存的GST合金相關之專利技術。

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