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英飞凌改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组 采用新型AIN陶瓷基板
Dressing udstyr   2021年05月12日 星期三 浏览人次: [2004]

英飞凌科技利用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板,成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组。此半桥式装置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B两种封装型式,导通电阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V装置采用高性能陶瓷,因此适合高功率密度应用,如太阳能系统、不断电系统、辅助变频器、储能系统及电动车充电器等。

新款EasyDUAL CoolSiC MOSFET 1200 V模组采用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板,可降低至散热片之热阻高达40%。
新款EasyDUAL CoolSiC MOSFET 1200 V模组采用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板,可降低至散热片之热阻高达40%。

EasyDUAL模组之FF11MR12W1M1_B70 和 FF6MR12W2M1_B70装置采用最新CoolSiC MOSFET技术,闸极氧化层可靠度极隹。经过改良的DCB材料导热性,可降低至散热片之热阻(RthJH)高达40%。CoolSiC Easy模组结合新型AIN陶瓷,不仅可提高输出功率,还能降低接面温度,进而大幅延长系统寿命。

EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组之FF11MR12W1M1_B70及FF6MR12W2M1_B70装置已经上市。

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