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Microchip推出最新汽车用700和1200V碳化矽萧特基二极体
Dressing udstyr   2020年10月29日 星期四 浏览人次: [1404]

汽车电气化浪潮正席卷全球,电动汽车搭载的马达、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化矽(SiC)等创新电源技术。Microchip今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化矽(SiC)萧特基二极体(SBD)功率元件,为电动汽车(EV)系统设计人员提供了符合严苛汽车品质标准的解决方案,同时支援丰富的电压、电流和封装选项。

Microchip最新汽车用700和1200V碳化矽萧特基二极体通过 AEC-Q101认证,帮助电动汽车实现最高水准的可靠性和耐用性
Microchip最新汽车用700和1200V碳化矽萧特基二极体通过 AEC-Q101认证,帮助电动汽车实现最高水准的可靠性和耐用性

Microchip新推出的元件通过了AEC-Q101认证,对於需要在提高系统效率的同时保持高品质的电动汽车电源设计人员来说,可以最大限度地提高系统的可靠性和耐用性,实现稳定和持久的应用寿命。新元件卓越的雪崩(avalanche)性能使设计人员可以减少对外部保护电路的需求,降低系统成本和复杂性。

Microchip分离式产品业务部??总裁Leon Gross表示:「作为汽车行业的长期供应商,Microchip持续拓展车用电源解决方案,引领汽车电气化领域的电源系统转型。我们一直专注於提供汽车解决方案,协助客户轻松过渡到碳化矽(SiC),同时将品质、供应和支援挑战的风险降至最低。」

Microchip作为汽车行业供应商的历史已经超过25年。公司拥有碳化矽(SiC)技术以及多个通过IATF 16949:2016认证的制造工厂,可透过灵活的制造替代方案提供高品质元件,大幅降低供应链风险。

经过Microchip内部以及协力厂商测试,关键可靠性指标已经证明,与其他厂商生产的SiC元件相比,Microchip 的元件效能更加卓越。与其他在极端条件下出现效能下降的碳化矽( SiC) 元件不同,Microchip 元件效能保持稳定,有助於延长应用寿命。Microchip 碳化矽(SiC)解决方案的可靠性和耐用性在业界处於领先水准。其耐用性测试表明,Microchip 的碳化矽萧特基二极体(SiC SBD)在操作电感切换(UIS)时可提升20% 的能量承受能力,在高温下具有极低的泄漏电流,因此可以延长系统寿命,实现更可靠的运行。

Microchip的SiC汽车功率元件进一步拓展了其控制器、类比和连接解决方案产品组合,为设计人员提供电动汽车和充电站的整体系统解决方案。Microchip还利用最新一代碳化矽(SiC)晶粒,提供700、1200和1700V 碳化矽萧特基二极体(SiC SBD)和金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)功率模组的广泛产品组合。

此外,Microchip推出的dsPIC数位讯号控制器可提供高效能、低功耗和灵活的周边。Microchip的AgileSwitch系列数位可程式设计闸极驱动器进一步加快了从设计阶段到生产的进程。这些解决方案还可应用於可再生能源、电网、工业、交通、医疗、资料中心、航空航太和国防系统。

Microchip全新的SiC SBD元件支援SPICE和PLECS模拟模型及MPLAB Mindi类比模拟器。同时上市的还有使用Microchip SBD(1200V, 50A)作为功率级的一部分的PLECS叁考设计模型,即维也纳三相功率因数校正(PFC)叁考设计。

Microchip车用700和1200V SiC SBD元件(也可作为功率模组的晶粒)现已开始接受批量订单。

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