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Microchip扩展碳化矽电源晶片产品线 提升能源效率、尺寸和可靠性
Dressing udstyr   2020年03月17日 星期二 浏览人次: [1171]

业界希??基於碳化矽(SiC)的系统能大幅提升效率、减小尺寸和重量,协助工程师研发创新的电源解决方案;这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智慧电网、工业电力系统、飞机电力系统等。

700V、1200V和1700V萧特基二极体模组可大幅提升电源切换效率,减少温升,缩小系统尺寸
700V、1200V和1700V萧特基二极体模组可大幅提升电源切换效率,减少温升,缩小系统尺寸

Microchip今日宣布推出更小、更轻、效率更高的SiC电源模组,进一步丰富旗下产品线。凭藉新型SiC电源模组及各类微控制器和类比产品,Microchip能够满足客户对大功率系统控制、驱动、功率级等方面的需求,提供全面的系统解决方案。

Microchip的SiC系列产品包含以萧特基二极体(SBD)为基础的700V、1200V和1700V商用电源模组。除了提供不同的电流和封装方案之外,新推出的系列电源模组还采用双二极体、全桥、相脚、双共阴极和三相桥等各种拓扑结构。SiC SBD模组可将多个SiC二极体晶片与可选件结合在一起,将基片和底板材料整合到单个模组,进而简化设计,最大程度地提升电源切换效率,减少温升并缩小系统尺寸。

Microchip分离式元件事业部??总裁Leon Gross表示:「SiC技术的应用和拓展是当前系统创新的驱动力。作为行业领军者,Microchip正同所有细分市场和全球各地的客户开展合作。我们始终将提供可靠的新型解决方案作为业务重点。从产品定义到产品发布的各个阶段,我们的SiC技术提供优越的可靠性和稳定性,可协助电源系统设计人员保障电源系统的长期运行,而不会降低系统效能。」

丰富多样的700V、1200V和1700V SiC SBD模组产品线采用Microchip最新一代的SiC晶片,可大幅提升系统可靠性和稳健性,保障电源系统的寿命和稳定性。这些元件的高雪崩性能可使系统设计人员减少对缓冲电路的需求。由於这些元件的体二极体(body diode)具有稳定性,电源系统可在内部采用体二极体,避免长期运行後出现性能退化。Microchip内部检测和协力厂商检测显示,相比其他使用SiC制造的元件,这些元件在关键的可靠性指标上表现更隹。

开发工具

Microchip的30kW三相Vienna功率因数校正(PFC)功能、SiC分离元件和SP3/SP6L模组驱动叁考设计/驱动板可协助系统开发人员缩短开发周期。

供货

700V、1200V和1700V SiC SBD电源模组现已开放订购。多个SiC SPICE模型、SiC驱动板叁考设计和PFC Vienna叁考设计为整个SiC产品组合提供支援。Microchip的SiC产品及其辅助产品现已实现量产。Microchip针对SiC MOSFET和SiC二极体提供各种裸片和封装方案。

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