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意法半导体电隔离栅极驱动器 控制并保护SiC、MOSGET、IGBT
Dressing udstyr   2018年08月15日 星期三 浏览人次: [2502]

意法半导体(STMicroelectronics)的STGAP2S单路隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,能让使用者选择独立的导通/关断输出或内部主动米勒钳位功能,其可使用於各种开关拓扑控制碳化矽(SiC)或矽MOSFET和IGBT功率电晶体。

意法半导体功能丰富的电隔离栅极驱动器控制并保护碳化矽或矽功率电晶体。
意法半导体功能丰富的电隔离栅极驱动器控制并保护碳化矽或矽功率电晶体。

STGAP2SCM配备一个主动米勒钳位专用脚位,提供一个防止半桥架构意外导通的简便解决方案。在MOSFET关断状态时,该脚位可将MOSFET栅极电压限制在隔离接地电压,直到下一个真正的导通讯号出现为止。

STGAP2SM具有独立的导通/关断输出,可搭配两个外部栅极电阻来优化电晶体开关性能。

全系列STGAP2S驱动器标配4A rail-to-rail输出,即使驱动大功率逆变器,也能确保开关操作迅速、高效。输入到输出传播延迟在80ns以内,在高开关频率下也能达到PWM精确的控制,满足SiC元件的驱动要求。出色的抗dV/dt共模瞬变干扰能力,使其能够防止耗能的杂散开关操作。

元件内建1700V电隔离功能,可以降低消费或工业用马达驱动器、600V或1200V变频器、DC/DC转换器、充电器、电焊机、感应炉、不断电供应系统(Uninterruptible Power Supply,UPS)和功率因数校正(Power-Factor Correction,PFC)控制器的物料成本。

这些产品整合全面的保护功能,其中,欠压锁定(Under-Voltage Lockout,UVLO)可在电源电压过低时保护电源开关。此外,过热保护和硬体互锁可以防止半桥电路中的高/低边交叉导通;待机模式可在节省电源的同时将输出保持在安全状态。

EVALSTGAP2SCM评估板提供了一个快速、简便的开发方法,方便设计人员迅速着手设计。

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