账号:
密码:
智动化 / 產品 /

APEC 2018Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化矽MOSFET
Dressing udstyr   2018年03月16日 星期五 浏览人次: [2875]

Littelfuse公司与从事碳化矽技术开发的美商Monolith Semiconductor推出两款1200V碳化矽(SiC) n通道增强型MOSFET,进而扩展第一代电源半导体元件组合。Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系,旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化矽MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子年度会议(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

Littelfuse新款新型碳化矽MOSFET旨在超越矽MOSFET和IGBT的性能,在电源转换系统中实现超快切换。
Littelfuse新款新型碳化矽MOSFET旨在超越矽MOSFET和IGBT的性能,在电源转换系统中实现超快切换。

LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化矽MOSFET具有超低导通电阻,分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。 这些碳化矽MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关,其在阻断电压、特徵导通电阻和结电容方面的性能显着优於其他矽基底的MOSFET。 其还兼具高工作电压和超高切换速度,这是具有类似额定电流和封装的矽基底的IGBT等传统功率电晶体方案所无法企及的。

「这些新型碳化矽MOSFET为电源转换器设计师提供了传统矽基电晶体的先进替代选择。」Littelfuse电源半导体产品行销经理Michael Ketterer表示:「其固有的材料特性和超快速切换能力提供了各种优化设计的机会,包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性。」

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化矽MOSFET采用TO-247-3L封装,提供450只装管式包装。

关键优势

·从系统层面减少的无源滤波器元件数量有助於提高功率密度,为高频高效应用打造优化设计。

·极低的栅极电荷和输出电容结合超低导通电阻可最大限度地减少功率耗散,提高效率并降低所需冷却技术的规模和复杂性。

典型应用

·电动汽车

·工业机械

·可再生能源(如太阳能逆变器)

·医疗设备

·交换式电源

·不断电供应系统(UPS)

·电机驱动器

·高压DC/DC转换器

·感应加热

相关产品
英飞凌推出CoolSiC MOSFET评估板 适用於最高7.5kW马达驱动
ROHM推出4引脚封装SiC MOSFET SCT3xxx xR系列
Littelfuse可回复过热保护设备 提高聚合物锂离子电池和方形电池的安全性并节省空间
英飞凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 适用於 PFC 与返驰拓扑
意法半导体电隔离栅极驱动器 控制并保护SiC、MOSGET、IGBT
comments powered by Disqus
  相关新闻
» ST强化智慧制造布局 满足市场状态监测与预测性维护需求
» 强化物联网与工业设备效能 ST推出高效能MCU
» Vicor将於台北举办高性能电源转换研讨会
» Kyocera和Vicor合作开发先进合封Power-on-Package电源解决方案
» 意法半导体和Autron共创联合开发实验室
  相关文章
» 预认证互联简化IoT应用
» 非挥发性记忆体暂存器:新一代数位温度感测器安全性和可靠性大跃进
» 使用各类感测器开发视觉系统:在嵌入式应用中整合图像、雷达、ToF感测器
» 不爱念书的小孩 要用服务带领罗姆半导体走向全球
» 无线电力传输
刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2019 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@hope.com.tw