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APEC 2018Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化矽MOSFET
Dressing udstyr   2018年03月16日 星期五 浏览人次: [3855]

Littelfuse公司与从事碳化矽技术开发的美商Monolith Semiconductor推出两款1200V碳化矽(SiC) n通道增强型MOSFET,进而扩展第一代电源半导体元件组合。Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系,旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化矽MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子年度会议(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

Littelfuse新款新型碳化矽MOSFET旨在超越矽MOSFET和IGBT的性能,在电源转换系统中实现超快切换。
Littelfuse新款新型碳化矽MOSFET旨在超越矽MOSFET和IGBT的性能,在电源转换系统中实现超快切换。

LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化矽MOSFET具有超低导通电阻,分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。 这些碳化矽MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关,其在阻断电压、特徵导通电阻和结电容方面的性能显着优於其他矽基底的MOSFET。 其还兼具高工作电压和超高切换速度,这是具有类似额定电流和封装的矽基底的IGBT等传统功率电晶体方案所无法企及的。

「这些新型碳化矽MOSFET为电源转换器设计师提供了传统矽基电晶体的先进替代选择。」Littelfuse电源半导体产品行销经理Michael Ketterer表示:「其固有的材料特性和超快速切换能力提供了各种优化设计的机会,包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性。」

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化矽MOSFET采用TO-247-3L封装,提供450只装管式包装。

关键优势

·从系统层面减少的无源滤波器元件数量有助於提高功率密度,为高频高效应用打造优化设计。

·极低的栅极电荷和输出电容结合超低导通电阻可最大限度地减少功率耗散,提高效率并降低所需冷却技术的规模和复杂性。

典型应用

·电动汽车

·工业机械

·可再生能源(如太阳能逆变器)

·医疗设备

·交换式电源

·不断电供应系统(UPS)

·电机驱动器

·高压DC/DC转换器

·感应加热

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