先进低频杂讯分析仪与WaferPro Express的整合，可实现统包式杂讯量测解决方案，并提供直流特性、电容和RF S参数量测功能。

新的先进低频杂讯分析仪可对整个晶圆执行独特的元件杂讯量测与建模，软体模组可量测直流特性、1/f杂讯、 随机电报杂讯，并进行资料分析。

是德科技（Keysight）日前发表最新版的高效能先进低频杂讯分析仪（A-LFNA）软体，以协助工程师执行快速、准确、可重复的低频杂讯量测。新版软体包含新的操作介面，并且与Keysight WaferPro Express软体紧密结合。 WaferPro Express平台可针对半导体元件自动执行晶圆级量测。该平台是这个大框架的一部分，让工程师能深入了解元件和电路中的杂讯，而不仅是在独立系统进行单向杂讯量测。

现今的半导体工程师无不希望拥有一套灵活、可扩充的杂讯量测系统，以便进行元件特性分析。他们尤其需要一套整合了先进的低频元件杂讯量测与分析及晶圆级量测的强大平台，让他们能加速处理所有的晶圆级特性分析任务。 Keysight A-LFNA与WaferPro Express软体的完美组合，可全面满足他们的需求。

这套整合式解决方案简化了封装和晶圆级的个别元件和积体电路的杂讯量测。如同以往，工程师可使用Keysight WaferPro Express软体，将高速直流、电容和RF S参数的量测进行程控与排序，同时还可自动执行晶圆探测控制。有了新推出的杂讯量测模组，现在他们可在测试套件中新增杂讯量测和分析功能。

Keysight A-LFNA内建的量测程式提供统包的直流和杂讯测量。举例而言，如需量测N型MOSFET的杂讯，测试系统可自动选择信号源，并载入可完整揭露元件本质杂讯的阻抗。工程师可接受这些建议设定，亦或进行修改，然后开始量测杂讯。

接着Keysight A-LFNA便开始量测杂讯功率频谱密度（1/f杂讯）和时域（RTN）内的杂讯。它还可透过多图资料显示视窗将量测所得的资料绘制成图。各种不同的监视标签可加速处理一般任务，例如：评估元件的直流操作点，并且量测功率频谱密度曲线的斜率。藉由使用Keysight Model Builder Program（MBP）及IC-CAP等元件建模工具，工程师可分析杂讯资料并且呈现在元件模型中。电路设计人员可使用这些元件模型来确保极度准确的射频和类比低杂讯电路设计。

台湾是德科技总经理张志铭表示：「我们的元件特性分析与建模软体客户各有不同的测试需求，从GaN可靠度和CMOS建模，到电磁感应器测试等。利用新的Keysight A-LFNA软体操作介面，我们提供客户在晶圆上进行元件杂讯量测与建模的能力，同时还提供完整且灵活的量测选项，从直流、电容到微波频率上的S参数量测，一应俱全。」

是德科技与Cascade Microtech的密切合作，促成了这套紧密整合的晶圆级解决方案的问市，以便为所有主要晶圆探测系统提供自动化控制功能。 （编辑部陈复霞整理）