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ST推出MasterGaN系列新款非对称拓扑产品
Dressing udstyr   2021年01月26日 星期二 浏览人次: [708]

半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics;ST纽约证券交易所代码:STM)MasterGaN平台的创新优势持续延伸,今日推出的新款MasterGaN2,是新系列双非对称氮化??(GaN)电晶体的首款产品,适用於软开关有源钳位元反激拓扑的GaN整合化解决方案。

意法半导体MasterGaN系列新增优化的非对称拓扑产品
意法半导体MasterGaN系列新增优化的非对称拓扑产品

两个650V常关型GaN电晶体的导通电阻(RDS(on))分别为150mΩ和225mΩ,每个电晶体皆整合一个优化的闸极驱动器,让GaN电晶体如普通矽元件一般便捷易用。其整合了先进驱动功能和GaN既有的性能优势,MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式转换器等拓扑电路之高效能、小体积和轻量化优势。

MasterGaN功率系统级封装(SiP)系列在同一封装整合了两个GaN高电子迁移率电晶体(HEMT)和配套的高压闸极驱动器,还内建了所有必备的保护功能。设计人员可以轻松将霍尔感测器和DSP、FPGA或微控制器等外部装置与MasterGaN元件连线。输入相容3.3V-15V逻辑讯号,有助於简化电路设计和物料清单,并可使用更小的电路板,简化产品安装。这种整合方案有助於提升转接器和快充充电器的功率密度。

GaN技术正在推动USB-PD转接器和智慧型手机充电器朝快充发展。意法半导体的MasterGaN元件可让这些充电器体积缩小高达80%,同时减轻70%的重量,而充电速度是普通矽基解决方案的三倍。

内建保护功能包括高低边欠压锁定(Under-Voltage Lockout;UVLO)、闸极驱动器互锁、专用关闭脚位和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN是为高压应用而优化的封装,高低压焊盘之间之安全距离超过2mm。

MasterGaN2现已量产。

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